Deutsch
| Artikelnummer: | NTMFS4821NT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6594 |
| 10+ | $0.5796 |
| 100+ | $0.4441 |
| 500+ | $0.3511 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.95mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 870mW (Ta), 38.5W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTMFS4821 |
| NTMFS4821NT1G Einzelheiten PDF [English] | NTMFS4821NT1G PDF - EN.pdf |




NTMFS4821NT1G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTMFS4821NT1G ist ein einzelner N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauer-Drainstrom von 8,8A bei 25°C (Ta) sowie 58,5A bei 25°C (Tc). Er verfügt über einen niedrigen Ru2212u2500() u2212 (On-Widerstand) von 6,95mΩ bei 30A, 10V.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 8,8A bei 25°C (Ta)
Kontinuierlicher Drain-Strom von 58,5A bei 25°C (Tc)
Sehr niedriger On-Widerstand von 6,95mΩ bei 30A, 10V
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Breiter Betriebstemperaturbereich von u2212 55°C bis 150°C
Cut Tape (CT) Verpackung
8-PowerTDFN Gehäuse mit 5 Anschlüssen
Oberflächenmontage-Design
Dieses Produkt ist veraltet, es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Schaltanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den NTMFS4821NT1G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technologische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NTMFS4821NT1G auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über unser zeitlich begrenztes Angebot.
MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
ON QFN81500
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
NTMFS4744N ON
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
NTMFS4709NT3G ON
NTMFS4823NT ON
ON QFN81500
MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 5DFN
MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
NFET S08FL 30V 94A .003R
ON QFN8
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/08/11
2024/10/30
2024/10/8
2025/06/16
NTMFS4821NT1Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|