Deutsch
| Artikelnummer: | NTHC5513T1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6338 |
| 10+ | $0.5137 |
| 30+ | $0.4529 |
| 100+ | $0.3937 |
| 500+ | $0.3574 |
| 1000+ | $0.3401 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | ChipFET™ |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.9A, 2.2A |
| Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | NTHC5513 |
| NTHC5513T1G Einzelheiten PDF [English] | NTHC5513T1G PDF - EN.pdf |




NTHC5513T1G
Y-IC ist ein Qualitätsanbieter für Produkte von AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTHC5513T1G ist ein dualer MOSFET-Array mit N-Kanal- und P-Kanal-Verbesserungsmodus in einem ChipFET-Gehäuse.
N- und P-Kanal-FET • Logikpegel-Gate • Drain-Source-Spannung (Vdss) von 20 V • Dauer-Drain-Strom (Id) bis zu 2,9 A • Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 80 mΩ • Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Kompaktes ChipFET-Gehäuse • Hervorragende thermische Leistung • Effiziente Energieübertragung • Zuverlässige und langlebige Bauweise
Verpackungsart: Tape & Reel (TR) • Gehäuseart: 8-SMD, Flachfuß • Thermische Eigenschaften: Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Das Produkt NTHC5513T1G ist aktiv und es sind derzeit keine Einstellung oder Einstellung geplant. • Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungsschaltungen • Motorsteuerung • Schaltanwendungen • Allgemeine Verstärkungszwecke
Das hochwertigste Datenblatt für den NTHC5513T1G ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich ein Angebot, um mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot zu erfahren.
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
murata O6O3
ON SOT1206-8
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
PERICOM SMD
NTHA8HC-60.000 N/A
MURATA SMD
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
MURATA SMD
PERICOM SMD
PERICOM SMD
ON SOT23-8
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTHD3101FT1 ON
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
NTHC5513T1Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|