Deutsch
| Artikelnummer: | NTD4813NHT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2094 |
| 200+ | $0.0811 |
| 500+ | $0.0782 |
| 1000+ | $0.0768 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A (Ta), 40A (Tc) |
| Grundproduktnummer | NTD4813 |
| NTD4813NHT4G Einzelheiten PDF [English] | NTD4813NHT4G PDF - EN.pdf |




NTD4813NHT4G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NTD4813NHT4G ist ein N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von onsemi. Er zeichnet sich durch hohe Leistungsfähigkeit und zuverlässige Schaltfähigkeiten aus.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung (Vdss)
7,6A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C
13mΩ On-Widerstand (Rds(on)) bei 30A, 10V
10nC Gate-Ladung (Qg) bei 4,5V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Effiziente und zuverlässige Schaltleistung
Geringer On-Widerstand für niedrigen Energieverlust
Weitreichender Betriebstemperaturbereich
Geeignet für verschiedene Leistungsmanagementund Steuerungsanwendungen
Gehäusetyp: TO-252-3, DPAK (2 Beine + Kühlfahne), SC-63
Oberflächenmontage-Gehäuse
Der NTD4813NHT4G ist ein aktives Produkt. Es sind keine direkten Ersatzmodelle oder Alternativen verfügbar. Für aktuelle Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Stromversorgungs-Schaltungen
Motorsteuerung
Beleuchtungssteuerung
Schalt-Netzteile
Das aktuellste Datenblatt für den NTD4813NHT4G steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für vollständige technische Details zu nutzen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den NTD4813NHT4G auf der Y-IC-Website anzufordern. Angebot einholen | Mehr erfahren | Zeitlich begrenztes Angebot
ON TO-252
NTD4815 ON
NTD4813N ON
NTD4815N ON
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
NTD4810NHT4G. ON
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
NTD4815NH ON
NTD4813NHG ON/
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
NTD4813NHT4Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|