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| Artikelnummer: | NSS30101LT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.2669 |
| 50+ | $0.2611 |
| 150+ | $0.2569 |
| 500+ | $0.2527 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | - |
| Leistung - max | 310 mW |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 300 @ 500mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1 A |
| Grundproduktnummer | NSS30101 |
| NSS30101LT1G Einzelheiten PDF [English] | NSS30101LT1G PDF - EN.pdf |




NSS30101LT1G
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NSS30101LT1G ist ein NPN-Bipolar Junction Transistor (BJT) von onsemi. Er ist ein einzelner Bipolartransistor, der für eine Vielzahl von allgemeinen Verstärkungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.
NPN-Bipolar Junction Transistor
Kollektorstrom bis zu 1A
Kollektor-Emitter-Sperrspannung von 30V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 200mV bei 1A Kollektorstrom
Übergangsfrequenz von 100MHz
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C
Oberflächenmontage in Gehäuse TO-236 (SOT-23-3)
Robustes Design für zuverlässige Leistung
Hohe Strombelastbarkeit
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Kompaktes, platzsparendes Oberflächenmontagegehäuse
Der NSS30101LT1G wird in einem TO-236 (SOT-23-3) Oberflächenmontagegehäuse geliefert und im Streifen- und Reelsystem bereitgestellt.
Der NSS30101LT1G ist ein aktives Bauelement. Es gibt gleichwertige und alternative Modelle wie die Transistoren MMBT3904 und MMBT3906. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Allgemeine Verstärkerstrebkreise
Schaltanwendungen
Elektronische Geräte und Ausrüstungen
Das aktuellste und autoritativste Datenblatt für den NSS30101LT1G ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Anwendungsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den NSS30101LT1G einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Prospekt zu profitieren.
NSS30071MR6 - TRANS BJTS NPN 30V
NSS35200CF8T1 ON
CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
ON SOT-23
ON SOT23
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
TRANS PNP 30V 0.7A SC74
NSS3010LT1G ON
TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
TRANS NPN 30V 0.7A SC74
TERM BLOCK W/COMBO SCREW
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
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