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| Artikelnummer: | NSBA123JDXV6T5G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0715 |
| 200+ | $0.0277 |
| 500+ | $0.0268 |
| 1000+ | $0.0262 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-563 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
| Leistung - max | 500mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Grundproduktnummer | NSBA123 |
| NSBA123JDXV6T5G Einzelheiten PDF [English] | NSBA123JDXV6T5G PDF - EN.pdf |




NSBA123JDXV6T5G
Y-IC vertreibt stolz hochwertige elektronische Komponenten von onsemi. onsemi ist ein renommierter Hersteller, der für seine zuverlässigen und innovativen Produkte bekannt ist.
Der NSBA123JDXV6T5G ist ein Dual-PNP-Transistor-Array mit Vor-Vorspannung in einer Oberflächenmontage im SOT-563- oder SOT-666-Gehäuse. Er ist für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert.
2 PNP Dual-PNP-Transistor-Array mit Vor-Vorspannung
Maximeller Kollektorstrom von 100 mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch von 50 V
Integrierter Basiswiderstand von 2,2 kΩ und Emitter-Basis-Widerstand von 47 kΩ
Mindest-Gleichstromverstärkung von 80 bei 5 mA Kollektorstrom und 10 V Kollektor-Emitter-Spannung
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 250 mV bei 300 μA Basisstrom und 10 mA Kollektorstrom
Maximaler Kollektor-Abschaltstrom von 500 nA
Maximale Verlustleistung von 500 mW
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Integrierte Vor-Vorspannungswiderstände für vereinfachte Schaltungsentwicklung
Zuverlässige und gleichbleibende Leistung
Geeignet für eine Vielzahl elektronischer Anwendungen
Der NSBA123JDXV6T5G ist in einem SOT-563- oder SOT-666-Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet thermische und elektrische Eigenschaften, die für die jeweiligen Anwendungen geeignet sind.
Der NSBA123JDXV6T5G ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Vertriebsteam auf der Y-IC-Website über verfügbare Alternativ- oder Ersatzmodelle zu informieren.
Verstärkerschaltungen
Schaltkreise
Logikgatter
Sensorschnittstellen
Allgemeine elektronische Anwendungen
Das aktuelle Datenblatt für den NSBA123JDXV6T5G ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen und die technischen Spezifikationen sowie Anwendungsinformationen zu prüfen.
Kunden werden empfohlen, auf der Y-IC-Website Angebote für den NSBA123JDXV6T5G einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und unserem Fachsupport zu profitieren.
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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