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| Artikelnummer: | NCV5104DR2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.2134 |
| 10+ | $1.8888 |
| 30+ | $1.6848 |
| 100+ | $1.4766 |
| 500+ | $1.3832 |
| 1000+ | $1.343 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 85ns, 35ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 250mA, 500mA |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | NCV5104 |
| NCV5104DR2G Einzelheiten PDF [English] | NCV5104DR2G PDF - EN.pdf |




NCV5104DR2G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NCV5104DR2G ist eine Halbbrücken-GATTA-Driver-IC von onsemi. Er wurde entwickelt, um IGBT- oder N-Kanal-MOSFET-Leistungshalbleiter in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungsanwendungen zu steuern.
Halbbrücken-Konfiguration mit zwei unabhängigen Treibkanälen
In der Lage, IGBToder N-Kanal-MOSFET-Leistungshalbleiter zu treiben
Betriebstemperaturbereich von 10V bis 20V Versorgungsspannung
Einstellbarer Dead-Time zwischen Hochund Niederspannungsausgängen
Überstromschutz und thermischer Abschaltfunktion
Erhältlich im platzsparenden 8-SOIC-Gehäuse
Effiziente Stromumwandlung mit schnellen Anstiegsund Abfallzeiten
Robuste Schutzfunktionen für eine erhöhte Systemzuverlässigkeit
Kompakte Bauform für räumlich eingeschränkte Designs
Der NCV5104DR2G ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) im Oberflächenmontageverfahren verpackt. Er ist im Tape-and-Reel-Format erhältlich.
Der NCV5104DR2G ist ein aktives Produkt. Es gibt äquivalente oder alternative Modelle von onsemi, wie die Serien NCV5105 und NCV5106. Für Unterstützung bei der Auswahl der besten Lösung für Ihre Anwendung kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Der NCV5104DR2G ist geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungsanwendungen, einschließlich Motorantriebe, Schaltnetzteile und industrielle Automatisierungsgeräte.
Das aktuellste Datenblatt für den NCV5104DR2G ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details einzusehen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NCV5104DR2G über die Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot!
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