Deutsch
| Artikelnummer: | FQPF9P25 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.6986 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQPF9 |
| FQPF9P25 Einzelheiten PDF [English] | FQPF9P25 PDF - EN.pdf |




FQPF9P25
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
P-Kanal 250V 6A (Tc) 50W (Tc) Durchlassloch TO-220F
P-Kanal MOSFET
250V Drain-Source-Spannung
6A Dauerstrom
50W Leistungsaufnahme
Durchlasslochgehäuse TO-220F
Zuverlässiges und leistungsstarkes Schalten
Für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen geeignet
Einfache Integration in bestehende Designs
Verpackt in einer Tube
Vollverpackung im TO-220-3 Format
Durchlassmontage
RoHS-konform
Dieses Produkt ist nicht von der Auslaufreihung betroffen.
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf der Website.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltregler
Allgemeine LeistungsSchaltanwendungen
Das umfassendste technische Datenblatt für das Modell FQPF9P25 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die besten Konditionen für den FQPF9P25 MOSFET zu erhalten.
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
FC TO-220
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
FQPF9N60C FSC
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
FQPF9N65C VB
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
FQPF9Z24 IR
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
ON TO-220F
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
FQPF9P25onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|