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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDD3510H
onsemi
FDD3510H Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

onsemi FDD3510H

Artikelnummer: FDD3510H
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor/onsemi
Teil der Beschreibung.: MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Datenblätte:
1.FDD3510H.pdf ···

Umweltinformationen

onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Korea Fab Site Add 3/Jan/2017.pdf

Datenblätter

FDD3510H.pdf

FDD3510H Seite PDF

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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • onsemi FDD3510H technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi FDD3510H .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-252 (DPAK)
    Serie PowerTrench®
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.3A, 10V
    Leistung - max 1.3W
    Verpackung / Gehäuse TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 40V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
    FET-Merkmal Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A, 2.8A
    Konfiguration N and P-Channel, Common Drain
    Grundproduktnummer FDD3510
    FDD3510H Einzelheiten PDF [English] FDD3510H PDF - EN.pdf
  • Rückgaberichtlinie
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    - Ursprüngliche Rechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen strengen Wareneingangsprüfungen und Qualitätskontrollverfahren.
    Wir gewährleisten Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatischer Schutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet. Das Etikett auf der äußeren ESD-Verpackung enthält unsere Firmeninformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

FDD3510H Produktdetails

Herstellerteilenummer

FDD3510H

Hersteller

onsemi. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der FDD3510H ist ein N- und P-Kanal MOSFET-Transistor mit gemeinsamer Drain-Anschaltung und Logikpegel-Gate. Er verfügt über ein PowerTrench®-Design und eignet sich für verschiedene Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung und Steuerung.

Schlüsselmerkmale

– N- und P-Kanal MOSFET

– Logikpegel-Gate

– PowerTrench®-Design

– 80V Drain-Source-Spannung

– 4,3A/2,8A Dauer-Drain-Strom

– 80 mOhm On-Widerstand

Wichtigste Vorteile

– Kompakte und effiziente Energieverwaltung

– Zuverlässiger Leistungsschalter

– Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen

Verpackung

– TO-252-5, DPAK (4 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-252AD-Gehäuse

– Oberflächenmontage (SMD)

Lebenszyklus

Das Produkt FDD3510H ist veraltet.

– Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich.

– Kunden sollten sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Website wenden.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Energieverwaltung

– Motorsteuerung

– Lichtsteuerung

– Allgemeine Leistungsschalteranwendungen

Datenblatt

Das offizielle Datenblatt für den FDD3510H ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es von der aktuellen Produktseite herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden wird empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.

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Benutzerbewertung

  • Geor***cott

    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

    2026/05/12

  • Oliv***arris

    good communication

    2026/05/8

  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

    2026/04/28

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

  • Devo***.

    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

  • Alex***

    Moderate quality chip. Works fine at room temperature, but in high temp conditions it seemed to drift. Not terrible, but not premium either.

    2026/02/28

  • Core***nalSourcing

    Service was efficient and polite. Components were packed well and labels were clear. Appreciated the attention to detail.

    2026/02/3

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    2026/01/28

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MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
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