Deutsch
| Artikelnummer: | FCB199N65S3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.8849 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.4mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | SuperFET® III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 7A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 98W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1225 pF @ 400 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FCB199 |
| FCB199N65S3 Einzelheiten PDF [English] | FCB199N65S3 PDF - EN.pdf |




FCB199N65S3
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FCB199N65S3 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET aus der SuperFET® III-Serie von onsemi. Er wurde für eine breite Palette von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Spannungs rating: 650V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 14A bei 25°C
Niedriger On-Widerstand: 199mΩ bei 7A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Herausragende Effizienz und Leistungsdichte
Robuste und zuverlässige Leistung
Eignet sich für Hochspannungsanwendungen
Spule & Rolle (Tape & Reel, TR)
TO-263 (D2PAK) Gehäuse
3 Anschlüsse + Kühlkörper
Oberflächenmontage
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen.
Es könnten alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Industrielle und Unterhaltungselektronik
Systeme für erneuerbare Energien
Das zuverlässigstes Datenblatt für den FCB199N65S3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
FCB11N60 FSC
FCB2012KF-260T06 TAITECH
TAI-TEC O6O3
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
TAI-TEC O8O5
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
O805
FCB20N60 FAIRCHI
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FCB11N60F FAIRCHILD
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/02/12
2025/06/24
2024/04/27
2025/02/11
FCB199N65S3onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|