Deutsch
| Artikelnummer: | ECH8310-TL-H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.672 |
| 10+ | $0.5401 |
| 30+ | $0.4735 |
| 100+ | $0.4083 |
| 500+ | $0.3462 |
| 1000+ | $0.3258 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-ECH |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
| Grundproduktnummer | ECH8310 |
| ECH8310-TL-H Einzelheiten PDF [English] | ECH8310-TL-H PDF - EN.pdf |




ECH8310-TL-H
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der ECH8310-TL-H ist ein P-Kanal-MOSFET-Transistor. Er ist für den Einsatz in einer Vielzahl von Leistungsmanagement- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
P-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung (Vdss)
9A Dauerstrom bei 25°C (Id)
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 17 mOhm
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 28 nC
Maximaler Eingangskondensator (Ciss) von 1400 pF
Gate-Source-Spannung (Vgs) von -20V bis +20V
Maximaler Junction-Temperatur (TJ) von 140°C
Hohe Strombelastbarkeit
Niedriger On-Widerstand für bessere Effizienz
Oberflächenmontage-Gehäuse für kompakte Designs
Geeignet für eine breite Palette von Leistungsmanagement-Anwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-SMD, Flachkontakt-Gehäuse
RoHS-konform und bleifrei
Der ECH8310-TL-H ist ein aktives Produkt. Derzeit sind keine äquivalenten oder alternativen Modelle bekannt. Bei weiteren Fragen steht Ihr Vertriebsteam auf der Y-IC-Website zur Verfügung.
Stromversorgungsund Leistungsmanagementschaltungen
Motorsteuerung
Batterieladegeräte
Automobilelektronik
Industrieausrüstung
Das aktuellste Datenblatt für den ECH8310-TL-H ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für vollständige technische Spezifikationen und Konstruktionsinformationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, ein Angebot für den ECH8310-TL-H auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT28FL
SANYO ECH8
ECH8310-TL ON
ECH8304 SANYO
PCH 2.5V DRIVE SERIES
SANYO ECH8
ECH8302-TL-E ASSEM
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH
MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH
ECH8401 SANYO
ECH8305-TL SANYO
ECH8401-TL-E SANYO
MOSFET P-CH 20V 9.5A SOT28FL
MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH
MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
SANYO SOT-8
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
ECH8310-TL-Honsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|