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Abbildung 1. Lese-Nur-Memory (ROM)
Lesespeedly Memory (ROM) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der Daten dauerhaft speichert, auch wenn die Stromversorgung ausgeschaltet ist.Es wird hauptsächlich zum Halten von Firmware, gefährliche Software verwendet, die Hardware startet und den Start-up verwaltet.Im Gegensatz zu RAM behält ROM seine Daten während des Neustarts und des Stromverlusts bei, wodurch es für eingebettete Systeme, Computer und Unterhaltungselektronik aktiv ist.
Ursprünglich wurde ROM während der Herstellung festgelegt (Mask ROM) und konnte nicht geändert werden.Im Laufe der Zeit tauchten flexiblere Typen auf, einschließlich Prom, Eprom, EEPROM und Flash, sodass Daten nach Bedarf programmiert und neu programmiert werden können.Diese Fortschritte verwandelten ROM von einem statischen Speichermedium in eine dynamische, aufrüstbare Lösung, die in modernen Systemen verwendet wird, die sowohl Stabilität als auch Flexibilität erfordern.

Abbildung 2. Konstruktion von ROM
Lese-Nur-Memory (ROM) ist für dauerhafte oder semi-permanente Datenbindung ausgelegt.Strukturell besteht es aus einer gitterartigen Matrix mit horizontalen Wortlinien und vertikalen Bitlinien, wobei jeder Kreuzung eine Speicherzelle bildet, die einen binären Wert („1“ oder „0“ speichert.Diese Zellen werden je nach ROM -Typ unter Verwendung von Dioden oder Transistoren gebaut.Um auf Daten zuzugreifen, sendet ein Gerät eine binäre Adresse an den Adressdecodierer des ROM, der die entsprechende Wortzeile aktiviert.Dies ermöglicht es wiederum, dass die in den Speicherzellen entlang dieser Zeile gespeicherten Werte über Bitlinien übertragen, durch Sinnesverstärker verstärkt und dann an die Ausgangspuffer geliefert werden.
Funktionell ist ROM für einen schnellen und vorhersehbaren Lesezugriff optimiert, der für das Speichern von Firmware, Bootladern und anderen für die Initialisierung von Hardware erforderlichen Code auf niedriger Ebene nützlich ist.Nach dem Programmieren, entweder während der Fertigung (wie in Masken-ROM) oder durch benutzerdefinierte Methoden (wie PROM, EPROM oder EEPROM), bleiben der Inhalt fest.
Im Gegensatz zum RAM- oder Flash -Speicher ist ROM nicht für häufige Änderungen vorgesehen, was es aufgrund von Softwarefehlern, Stromausfällen oder böswilligen Manipulationen vor Korruption schützt.Dieses Design stellt sicher, dass ernsthafte Routinen für System -Neustarts oder Stromverluste intakt bleiben.
ROM ist in verschiedenen Variationen erhältlich, die jeweils so konzipiert werden, dass sie unterschiedliche Design- und Anwendungsanforderungen erfüllen.

Abbildung 3.. Mask ROM
• Mask ROM ist die ursprüngliche, nicht programmierbare Form von ROM.Die Daten werden während der Herstellung dauerhaft in den Chip eingebettet, indem sie einen photolithografischen Prozess haben.Da es danach nicht geändert werden kann, ist es ideal für die Produktion mit hoher Volumen, bei der sich die Firmware nie ändert, z. B. in einfachen Unterhaltungselektronik.

Abbildung 4. Prom (programmierbares ROM)
• Abschlussball (programmierbares ROM) bietet etwas mehr Flexibilität.Es wird als leerer Chip hergestellt und kann einmal mithilfe eines speziellen Geräts programmiert werden, das Hochspannungsimpulse sendet.Nach dem Programmieren können die Daten jedoch nicht geändert oder gelöscht werden, wodurch der Abschlussball für Situationen geeignet ist, in denen der Code nach der Herstellung abgeschlossen ist.

Abbildung 5. EPROM (löschbar programmierbares ROM)
• EPROM (löschbares programmierbares ROM) Verbessert die Abschlussball, indem Daten gelöscht und neu geschrieben werden.Das Löschen erfolgt, indem der Chip durch ein transparentes Quarzfenster auf dem Chip -Paket einem ultravioletten Licht (UV) ausgesetzt wird.Nach dem Löschen kann der Speicher elektrisch neu programmiert werden.Dieser Typ ist in Entwicklungsstadien nützlich, erfordert jedoch eine physikalische Entfernung aus dem System zur Auslöschung, was zeitaufwändig ist.

Abbildung 6. EEPROM (Elektrisch löschbar programmierbares ROM)
• EEPROM (Elektrisch löschbares programmierbares ROM) Entfernt die Notwendigkeit von UV -Licht, indem es das elektrische Löschen und Umschreiben ermöglicht.Es ermöglicht es, Daten auf der Byte -Ebene zu löschen und zu schreiben, ohne den Chip aus der Schaltung zu entfernen.EEPROM wird üblicherweise in Systemen verwendet, in denen Einstellungen oder kleine Datenmengen gelegentlich aktualisiert werden müssen, z. B. in BIOS -Chips oder intelligenten Karten.

Abbildung 7. Flash ROM
• Flash ROM ist eine moderne Entwicklung von EEPROM.Es ermöglicht schnellere Schreib- und Löschen von Vorgängen, indem Daten in Blöcken und nicht einzelne Bytes behandelt werden.Dies macht es ideal, um große Mengen an Daten oder Firmware zu speichern. Es wird in USB -Laufwerken, SSDs, Smartphones und eingebetteten Systemen häufig verwendet.Es kombiniert Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Nicht-Volatilität und ist damit der beliebteste Rom-Typ in der modernen Elektronik.
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Merkmal |
Beschreibung |
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Nicht-Volatilität |
ROM behält gespeicherte Daten, auch wenn die
Stromversorgung wird entfernt.Dies macht es ideal, um Firmware oder System zu speichern
Startcode, der durch Neustarts oder Stromverlust bestehen muss. |
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Schnelle Lesegeschwindigkeiten |
ROM ist für Hochgeschwindigkeitsdaten optimiert
Zugang.Sobald die Adresse dekodiert ist, können die entsprechenden Daten gelesen werden
Fast sofort, um schnelles Systemstart und konsistente Leistung zu ermöglichen. |
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Datenintegrität |
ROM-Typen sind im Allgemeinen schreibgeschützt oder haben
kontrollierte Schreibmechanismen, die dazu beitragen, versehentliche Datenbeschädigung zu verhindern
oder Änderung, gefährlich für die Speicherung stabiler Firmware und Hardware
Anweisungen. |
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Niedriger Stromverbrauch |
ROM verwendet weniger Leistung im Vergleich zu RAM,
Besonders während des Lesens.Dies macht es gut geeignet für
Batteriebetriebene und eingebettete Geräte, bei denen die Energieeffizienz von entscheidender Bedeutung ist. |
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Begrenzte Schreibfähigkeiten |
Traditionelles ROM ist nicht beschreibbar und sogar
Neuprogrammierbare Typen wie EEPROM und Flash ermöglichen nur eine begrenzte Anzahl von
Zyklen schreiben/löschen.Dies begrenzt ihre Verwendung in Anwendungen, die häufig erforderlich sind
Datenaktualisierungen. |
|
Langsamere Schreibgeschwindigkeiten (in neuprogrammierbar
ROM) |
Während die Lesegeschwindigkeiten schnell sind, eeprom und
Flash ROM hat in der Regel langsamere Schreibvorgänge im Vergleich zu RAM.Das ist fällig
zu den komplexeren Prozessen, die mit dem Lösch- und Umschreiben von Daten verbunden sind. |
• Die Reprogrammierung ist langsamer und begrenzt: Im Gegensatz zu RAM- oder Flash-basierten Speicher benötigen ROM-Typen, die die Reprogrammierung (wie EPROM, EEPROM und Flash) unterstützen, mehr Zeit, um Daten zu löschen und neu zu schreiben.Dies kann ein Engpass bei Systemen sein, die häufige Aktualisierungen benötigen.
• Permanent programmierte Varianten können nicht geändert werden: Mask ROM ist während der Herstellung programmiert und kann danach nicht geändert werden.Wenn Fehler oder Updates benötigt werden, muss der gesamte Chip neu gestaltet und wiederhergestellt werden, wodurch er unflexibel ist, um Systeme zu entwickeln.
• Begrenzte Schreib-/Löschzyklen: Neuprogrammierbare ROM -Typen wie EEPROM und Flash haben eine begrenzte Anzahl von Schreib- und Löschzyklen, die typischerweise zwischen 10.000 und 1.000.000 Zyklen liegen.Im Laufe der Zeit kann dieser Verschleiß die Zuverlässigkeit des Speichers in schreibintensiven Anwendungen beeinträchtigen.

Abbildung 8. Ram vs. Rom
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Besonderheit |
ROM (schreibgeschützte Speicher) |
RAM (Zufallszugriffsspeicher) |
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Volatilität |
Nichtflüchtiger-behält Daten auch dann bei
Macht ist aus |
Volatile - Daten gehen verloren, wenn Strom ist
ausgeschaltet |
|
Datenzugriff |
In der Regel schreibgeschützt im normalen Betrieb |
Lesen und Schreiben von Operationen sind beide
unterstützt |
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Geschwindigkeit |
Schnelle Lesegeschwindigkeiten;Schreiben Sie Geschwindigkeiten (if
erlaubt) sind langsamer |
Hochgeschwindigkeits-Lese- und Schreibleistung |
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Zweck |
Speichert dauerhafte Anweisungen wie Firmware
und Bootlader |
Speichert temporäre Daten und Anweisungen
zur aktiven Verarbeitung |
|
Reprogrammierbarkeit |
Begrenzt oder nicht möglich (Abhängig vom Typ:
Mask ROM, Abschlussball usw.) |
Frei beschreibbar und löschbar während
Laufzeit |
|
Anwendungsfall der Datenretention
|
Ideal für die Aufbewahrung von Bedürfnissen, unveränderlich
Systemsoftware |
Wird für dynamische Daten verwendet, die sich während der ändert
Systembetrieb |
|
Lebensdauer von Daten |
Daten werden dauerhaft aufbewahrt (oder bis
neu programmiert) |
Daten existieren nur während des Systembetriebs |
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Systemrolle |
Sorgt für Systemstarts und grundlegende Hardware
Betrieb |
Griff Multitasking, Laufen
Anwendungen und Benutzerdaten |
|
Besonderheit |
ROM (schreibgeschützte Speicher) |
Festplatte (HDD/SSD) |
|
Typ |
Nichtflüchtiger Speicherchip |
Nichtflüchtiger Massenspeichergerät |
|
Zweck |
Speichert Firmware oder Low-Level-System
Software |
Speichert Betriebssystem, Programme, Dateien,
und Benutzerdaten |
|
Volatilität |
Nichtflüchtiges (Daten ohne beibehalten
Leistung) |
Nichtflüchtiges (Daten ohne beibehalten
Leistung) |
|
Modifizierbarkeit |
Normalerweise nicht benutzermodifizierbar (außer
Flash, EEPROM -Typen) |
Voll benutzerdefinierbar und umschreiben |
|
Geschwindigkeit |
Sehr schnelle Lesegeschwindigkeit für Startvorgänge |
Langsamer als ROM (insbesondere HDDs), aber
SSDs sind viel schneller |
|
Speicherkapazität |
Sehr klein (KB bis MB Range) |
Sehr groß (GBS bis mehrere TBS) |
|
Formfaktor |
Auf das Motherboard oder die Chip-Ebene eingebettet |
Externes/internes Laufwerk mit Scheibe oder
Flash -Speicher |
|
Funktion während des Bootes |
Bietet wesentliche Anweisungen für
Hardware -Initialisierung |
Lädt das Betriebssystem nach Anfang
ROM -Ausführung |
|
Datentyp gespeichert |
Feste Anweisungen oder Firmware |
Dynamische Dateien, Dokumente, Software, Betriebssystem,
und Benutzerdaten |
|
Beispiel Verwendung |
BIOS/UEFI, eingebetteter Systemstartcode |
Dateien speichern, Anwendungen installieren,
Medien speichern |
Der Flash-Speicher dominiert aufgrund seiner Vielseitigkeit, des Zugangs auf Blockebene und hoher Speicherdichte weiterhin moderne ROM-Anwendungen.Seine Fähigkeit, elektrisch gelöscht und neu programmiert zu werden, macht es ideal für eingebettete Systeme, Firmware -Updates und tragbare Geräte.Laufende Innovationen wie 3D-NAND-Architektur, Verschleiß-Leveling-Algorithmen und fortschrittliche Fehlerkorrekturcodes (ECC) erweitern die Lebensdauer, die Zuverlässigkeit und die Speicherkapazität des Flash-Speichers, um sicherzustellen, dass es auf absehbare Zeit das Rückgrat nicht-volatiler Speicherlösungen bleibt.
Da die Geräte jedoch eine schnellere Leistung, einen geringeren Stromverbrauch und eine größere Ausdauer des Schreibens erfordern, erlangen die entstehenden nichtflüchtigen Gedächtnistechnologien auf die Aufmerksamkeit:
• MRAM (Magnetoresistiver RAM): MRAM speichert Daten eher mit magnetischen Zuständen als mit elektrischen Ladungen.Es bietet nahezu Sram-Geschwindigkeiten mit Nicht-Volatilität, hervorragender Ausdauer und Sofortleistung, was es zu einem potenziellen Kandidaten für Cache und anhaltendem Speicher in eingebetteten und industriellen Anwendungen macht.
• Reram (Widerstands -RAM): RERAM ändert den Widerstand über ein dielektrisches Festkörpermaterial.Es verspricht hohe Geschwindigkeit, Betrieb mit geringer Leistung und einfache Struktur, wodurch dichte und skalierbare Speicherarchitekturen ideal für KI -Kantengeräte und IoT -Knoten ideal sind.
• FRAME (ferroelektrischer RAM): FRAM kombiniert einen schnellen Zugang mit geringem Stromverbrauch und nahezu infiniten Schreibzyklen.Obwohl die Dichte im Vergleich zu Flash begrenzt, wird es zunehmend in missionskritischen Anwendungen mit geringer Leistung wie medizinischen und Automobilsystemen angewendet.
• PCM (Phasenänderungsspeicher): PCM verwendet wärmeinduzierte Änderungen in der Phase eines Materials, um binäre Daten darzustellen.Es liefert hohe Ausdauer und Skalierbarkeit und wird für den Speicher der nächsten Generation in Betracht gezogen, wodurch die Lücke zwischen DRAM und NAND Flash überbrückt wird.
Wenn diese Alternativen reifen, können sie in bestimmten Anwendungsfällen nach und nach das herkömmliche ROM und Blitz ersetzen, hauptsächlich, wo Geschwindigkeit, Ausdauer oder Energieeffizienz schwerwiegend sind.In den kommenden Jahren könnte die Verschiebung zu universellen Gedächtnistechnologien die Rollen von RAM und ROM vereinen, das das Design und die Leistung des Systems optimiert.
Von frühen, fest verdrahteten Masken -ROMs bis hin zu modernen Blitz- und aufstrebenden Technologien wie Mram und Reram hat sich ROM ständig an die wachsenden Anforderungen elektronischer Systeme angepasst.Die Fähigkeit, Daten ohne Strom zu erhalten, sichere Firmware -Speicher zu unterstützen und schnelle, vorhersehbare Lesevorgänge zu liefern, hat seine Rolle in nahezu jedem digitalen Gerät gefestigt.Da neue Speicherinnovationen schnellere Geschwindigkeiten, eine verbesserte Ausdauer und Energieeffizienz bieten, wird die Rolle von ROM so weiterentwickeln, wodurch die Grenzen zwischen traditionellen Speicherkategorien verwischt und intelligentere, anpassungsfähigere Geräte ermöglicht werden.Das Verständnis der Funktionen und Einschränkungen von ROM ist nützlich, um die richtige Speicherlösung sowohl für aktuelle als auch für Anwendungen der nächsten Generation auszuwählen.
CAP CER 360PF 100V X7R 0603
CAP CER 3300PF 2KV X7R 1812
CAP CER 6800PF 1.5KV X7R 1808
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AC
CONN HEADER R/A 20POS 2.5MM
IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO
IC CPLD 64MC 7.5NS 84PLCC
IC MCU 16BIT 64KB FLASH 44LQFP
HD64F2144AVTE10 RENESAS
TW2960LA1-CR INTERSIL


