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Zeit: 2025/12/19
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Die 2N3053 Der Allzweck-NPN-Transistor von Central Semiconductor ist ein zuverlässiger bipolarer Sperrschichttransistor.Es ist in einem TO-39-Metalldosengehäuse untergebracht, das eine gute thermische Leistung und Haltbarkeit bietet.
Dieser Transistor unterstützt moderate Spannungs- und Strompegel und kann so Signalverstärkung, Treiberstufen und Schaltaufgaben mittlerer Leistung bewältigen.Mit seiner stabilen Gleichstromverstärkung und relativ hohen Übergangsfrequenz eignet sich der 2N3053 gut für Audioverstärker, HF-Schaltkreise und Steuerungssysteme, die einen konsistenten und vorhersehbaren Betrieb erfordern.
Wenn Sie Interesse am Kauf des 2N3053 haben, kontaktieren Sie uns bitte bezüglich Preis und Verfügbarkeit.


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Pin
Nummer |
Pin
Name |
Beschreibung |
|
1 |
Emitter |
Der Emitter
setzt Ladungsträger (Elektronen) frei und ist meist mit Erde oder Erde verbunden
die negative Seite der Schaltung. |
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2 |
Basis |
Die Basis
steuert den Betrieb des Transistors;Ein kleiner Strom ermöglicht hier einen größeren
Strom fließt zwischen Kollektor und Emitter. |
|
3 |
Sammler |
Der Sammler
empfängt Ladungsträger und verbindet sich zur Verstärkung oder mit der Last
Schaltkreise. |
• 2N3053A
• 2N2219
• 2N2219A
• SL100
• 2N5210
• 2N5321
• 2N5327
• Chr. 140
• BC141
• BC440
• BC441
• BC108
• NTE128
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Parameter |
Spezifikation |
|
Transistortyp |
NPN Bipolar
Sperrschichttransistor |
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Bewerbung |
Allgemeiner Zweck
/ Schalten |
|
Paket/Koffer |
TO-39 |
|
Montageart |
Durchgangsloch |
|
Konfiguration |
Single |
|
Anzahl der Pins |
3 |
|
Polarität |
NPN |
|
Sammler-Emitter
Spannung (VCEO) |
40 V |
|
Sammlerbasis
Spannung (VCBO) |
60 V |
|
Emitter-Basis
Spannung (VEBO) |
5 V |
|
Max Collector
Strom (IC) |
700 mA |
|
Macht
Verlustleistung (max.) |
5 W |
|
Sammler-Emitter
Sättigungsspannung (VCE(sat)) |
1,7 V |
|
Gleichstromverstärkung
(hFE) |
25 – 250 (Min.:
50 @ spezifizierte Bedingungen) |
|
Übergang
Frequenz (fT) |
100 MHz |
|
Gewinnen Sie Bandbreite
Produkt |
100 MHz |
|
Maximaler Betrieb
Temperatur |
+150 °C |
|
Min. Betrieb
Temperatur |
−65 °C |
|
Anzahl
Elemente |
1 |
|
Terminal-Finish |
Zinn/Blei (Sn/Pb) |
|
Terminalformular |
Draht |
|
Terminal
Position |
Unten |
|
Sammler
Verbindung |
Fall verbunden |
|
RoHS-Status |
RoHS-konform |
|
Bleifrei |
Ja |
|
Teilestatus |
Aktiv |
|
Symbol |
Testen
Bedingungen |
Min |
Max |
Einheiten |
|
IchCEV |
VCE = 30 V, VEB
= 1,5 V |
— |
250 |
nA |
|
IchCEV |
VCE = 60 V, VEB
= 1,5 V |
— |
250 |
nA |
|
IchEBO |
VEB = 4,0 V |
— |
250 |
nA |
|
BVCBO |
IC = 100 µA |
60 |
— |
V |
|
BVCER |
IC = 100 mA, RBE
= 10 Ω |
50 |
— |
V |
|
BVCEO |
IC = 100 mA |
40 |
— |
V |
|
BVEBO |
IE = 100 µA |
5,0 |
— |
V |
|
VCE (Sa) |
IC = 150 mA, IB
= 15 mA |
— |
1.4 |
V |
|
VBE(Sa) |
IC = 150 mA, IB
= 15 mA |
— |
1.7 |
V |
|
VSEIN(an) |
VCE = 2,5 V, IC
= 150 mA |
— |
1.7 |
V |
|
hFE |
VCE = 2,5 V, IC
= 150 mA |
25 |
— |
— |
|
hFE |
VCE = 10 V, IC =
150mA |
50 |
250 |
— |
|
fT |
VCE = 10 V, IC =
50mA |
100 |
— |
MHz |
|
Cob |
VCB = 10 V, IE =
0, f = 1 MHz |
— |
15 |
pF |
|
Cib |
VBE = 0,5 V, IC
= 0, f = 1 MHz |
— |
80 |
pF |
Der 2N3053 ist ein Allzweck-NPN-Bipolartransistor, der für eine Vielzahl von Verstärkungs- und Schaltaufgaben entwickelt wurde.Seine NPN-Struktur ermöglicht eine effiziente Stromsteuerung und eignet sich daher für Signalverarbeitung, Treiberstufen und Steuerschaltungen sowohl in analogen als auch digitalen Anwendungen.
Mit einer Kollektor-Emitter-Spannungsnennleistung von bis zu 40 V kann der 2N3053 sicher in Schaltkreisen mit niedriger bis mittlerer Spannung betrieben werden.Dies macht es zuverlässig für den Einsatz in geregelten Netzteilen, Signalverstärkern und Schaltanwendungen, bei denen eine stabile Spannungstoleranz erforderlich ist.
Der Transistor unterstützt einen maximalen Kollektorstrom von ca. 700 mA und ermöglicht so den Antrieb mittlerer Lasten.Diese Funktion ermöglicht den Einsatz des 2N3053 in Relaistreibern, kleinen Motoren und stromgesteuerten Lasten ohne übermäßige Leistungsbelastung.
Mit einer Übergangsfrequenz von etwa 100 MHz eignet sich der 2N3053 gut für Hochgeschwindigkeits- und HF-bezogene Anwendungen.Dadurch kann er sich schnell ändernde Signale effektiv verstärken und eignet sich daher für HF-Verstärker und Hochfrequenz-Signalstufen.
Der 2N3053 bietet über seinen gesamten Betriebsbereich eine vorhersehbare Gleichstromverstärkung, die dazu beiträgt, eine konstante Schaltkreisleistung aufrechtzuerhalten.Diese Stabilität ist wichtig für Verstärkerdesigns, bei denen Signalgenauigkeit und Wiederholbarkeit erforderlich sind.
Seine relativ niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung verbessert die Effizienz bei Schaltanwendungen.Dies reduziert den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung, wenn der Transistor im Sättigungsmodus arbeitet.
Das TO-39-Metallgehäuse bietet eine gute mechanische Festigkeit und eine effektive Wärmeableitung.Das Metallgehäuse erhöht zudem die Haltbarkeit und macht den Transistor für den Langzeit- und Industrieeinsatz geeignet.
Der 2N3053 ist für den Betrieb bei −65 °C bis +150 °C ausgelegt und kann auch in rauen Umgebungen zuverlässig funktionieren.Dieser große Temperaturbereich gewährleistet eine zuverlässige Leistung in elektronischen Systemen sowohl im Innen- als auch im Außenbereich.

Im ersten Schaltkreis fungiert der 2N3053 als Leistungsausgangstransistor in einem Niederspannungs-Audioverstärker.Das Audiosignal gelangt über einen Koppelkondensator, der Gleichstrom blockiert, während das Wechselstrom-Audiosignal durchgelassen wird.Kleinsignaltransistoren sorgen für die anfängliche Spannungsverstärkung, während der 2N3053 den höheren Strom verarbeitet, der zum Antrieb des Lautsprechers erforderlich ist.Vorspannungsdioden stabilisieren den Arbeitspunkt und reduzieren Übergangsverzerrungen.Der Ausgangskondensator isoliert den Lautsprecher von der Gleichspannung und stellt so sicher, dass nur verstärktes Audio die Last erreicht.In dieser Konfiguration fungiert der 2N3053 als Stromverstärker und erhöht die Signalleistung, ohne die Wellenform wesentlich zu verändern.

Im zweiten Diagramm arbeitet der 2N3053 als Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor in einem Boost-Netzteil.Der Transistor schaltet schnell ein und aus, sodass Energie in der Induktivität gespeichert und dann bei einem höheren Spannungsniveau abgegeben werden kann.Steuertransistoren regeln das Schaltverhalten, während der 2N3053 den Hauptstromfluss durch die Induktivität verwaltet.Eine Diode und ein Ausgangskondensator wandeln die gepulste Energie in eine gleichmäßige DC-Ausgangsspannung um.Hier arbeitet der 2N3053 effizient in Sättigungs- und Grenzbereichen und eignet sich daher für die DC-DC-Umwandlung und Leistungsregelung.

Im dritten Schaltkreis wird der 2N3053 als Reihendurchgangstransistor in einem linearen Spannungsregler verwendet.Eine Zenerdiode stellt eine feste Referenzspannung an der Basis des Transistors ein.Wenn sich die Eingangsspannung ändert, passt der 2N3053 seine Leitung an, um eine stabile Ausgangsspannung am Emitter aufrechtzuerhalten.Das Widerstandsnetzwerk steuert den Basisstrom, während der Ausgangskondensator die Welligkeit filtert und die Spannungsstabilität verbessert.In dieser Rolle arbeitet der 2N3053 in seinem aktiven Bereich und fungiert als variabler Widerstand, der die Ausgangsspannung reguliert und gleichzeitig ausreichend Laststrom liefert.
• Audio-Leistungsverstärker
• Kleine Lautsprechertreiberschaltungen
• Universelle Signalverstärkung
• HF-Verstärkerstufen
• Schaltkreise
• Relaistreiberschaltungen
• Steuerkreise für Gleichstrommotoren
• Lineare Spannungsregler
• Anwendungen mit Serientransistoren
• DC-DC-Wandler und Boost-Reglerschaltungen
• Steuerstufen der Stromversorgung
Um einen sicheren Betrieb des 2N3053-Transistors zu gewährleisten, ist es wichtig, das Gerät immer innerhalb der angegebenen Spannungs-, Strom- und Leistungsgrenzen zu betreiben.Das Überschreiten der maximalen Kollektor-Emitter-Spannung oder des Kollektorstroms kann zu dauerhaften Schäden führen. Daher sind die richtige Auswahl der Komponenten und das Schaltungsdesign von entscheidender Bedeutung.
Insbesondere bei Hochstrom- oder Dauerbetrieb-Anwendungen sollte für eine ausreichende Wärmeableitung gesorgt werden.Die Verwendung eines geeigneten Kühlkörpers und die Gewährleistung einer guten Luftzirkulation tragen dazu bei, thermische Überlastung zu vermeiden.Durch die korrekte Vorspannung des Transistors werden außerdem ein übermäßiger Basisstrom und ein instabiler Betrieb vermieden.
Bei Schaltanwendungen reduzieren schnelle Übergänge und geeignete Basis-Treiberwiderstände die Belastung des Geräts.Aus Gründen der Zuverlässigkeit sollten Schutzkomponenten wie Dioden oder Widerstände zum Schutz vor Spannungsspitzen und Verpolungsbedingungen verwendet werden.
|
Parameter |
2N3053 |
2N3055 |
|
Transistortyp |
NPN BJT |
NPN BJT |
|
Kategorie |
Universell einsetzbar
/ Mittlere Leistung |
Leistungstransistor |
|
Paket |
TO-39 (Metall
kann) |
TO-3 (Metall
Fall) |
|
Montageart |
Durchgangsloch |
Durchgangsloch |
|
Sammler-Emitter
Spannung (VCEO) |
40 V |
60 V |
|
Sammlerbasis
Spannung (VCBO) |
60 V |
100 V |
|
Emitter-Basis
Spannung (VEBO) |
5 V |
7 V |
|
Max Collector
Strom (IC) |
700 mA |
15 A |
|
Macht
Verlustleistung (max.) |
5 W |
115 W |
|
Gleichstromverstärkung
(hFE) |
25 – 250 |
20 – 70 |
|
Übergang
Frequenz (fT) |
100 MHz |
~2,5 MHz |
|
Sammler-Emitter
Sättigungsspannung |
~1,4 V |
~1,1 V |
|
Betrieb
Temperaturbereich |
−65 °C bis +150
°C |
−65 °C bis +200
°C |
|
Geschwindigkeit /
Schaltfähigkeit |
Hohe Geschwindigkeit |
Niedrige Geschwindigkeit |
|
Kühlkörper
Anforderung |
Optional / klein |
Obligatorisch |
|
Fallverbindung |
Sammler |
Sammler |
|
Größe |
Klein |
Groß |
|
Effizienz in
Hochleistungslasten |
Niedrig |
Hoch |

|
Vorteile |
Einschränkungen |
|
Hoher Übergang
Die Frequenz ermöglicht den Betrieb in Hochgeschwindigkeits- und HF-Schaltkreisen |
Begrenzt
Kollektorstrom im Vergleich zu Leistungstransistoren |
|
Kompakter TO-39
Metallgehäuse sorgt für gute mechanische Festigkeit |
Geringere Leistung
Verlustleistung als größere Leistungstransistoren |
|
Geeignet für
sowohl für Verstärkungs- als auch für Schaltanwendungen |
Nicht ideal für
Hochleistungs- oder Hochstromlasten |
|
Stabil und
vorhersehbare Gleichstromverstärkung |
Erfordert ordnungsgemäß
Wärmeableitung im Dauerbetrieb |
|
Breiter Einsatzbereich
Temperaturbereich für zuverlässige Leistung |
Kollektor-Emitter
Die Nennspannung ist relativ moderat |
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Metalldose
Das Paket verbessert die Wärmeableitung und Haltbarkeit |
Weniger effizient
als moderne MOSFETs in Schaltdesigns |
|
Leicht voreingenommen und
in einfache Schaltungsdesigns integrieren |
Weniger werden
im Vergleich zu neueren Transistortypen üblich |
Zentraler HalbleiterDie Fertigungskapazitäten des Unternehmens für den 2N3053-Transistor werden durch seine langjährige Erfahrung in der diskreten Halbleiterproduktion unterstützt.Das Unternehmen konzentriert sich auf hochwertige Bipolartransistoren mit kontrollierten Herstellungsprozessen, die eine konstante elektrische Leistung, Zuverlässigkeit und Haltbarkeit gewährleisten.Central Semiconductor unterstützt Standard-Durchgangsmetallgehäuse wie TO-39, bietet flexible Produktionsmengen und unterhält strenge Qualitätskontrollpraktiken, um industrielle und kommerzielle Anforderungen zu erfüllen.
Nein, der 2N3053 kann den 2N3055 nicht direkt ersetzen, da er über deutlich geringere Strom- und Leistungswerte verfügt und für andere Anwendungsbereiche gedacht ist.
Seine hohe Übergangsfrequenz ermöglicht es ihm, schnelle Signaländerungen zu bewältigen, was ihn effektiv für die HF-Verstärkung und Hochgeschwindigkeitssignalschaltungen macht.
Das TO-39-Metallgehäuse bietet im Vergleich zu Kunststoffgehäusen eine bessere Wärmeableitung und mechanische Haltbarkeit.
Unter Dauerlast sind eine stabile Vorspannung und ein ordnungsgemäßes Wärmemanagement unerlässlich, um einen sicheren Betrieb aufrechtzuerhalten und ein thermisches Durchgehen zu verhindern.
Entwickler sollten Spannungswerte, Stromanforderungen, Verlustleistung, Schaltgeschwindigkeit und thermische Bedingungen überprüfen, um die Kompatibilität mit der Anwendung sicherzustellen.
CAP CER 1.8PF 100V NP0 1206
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
IC DAC 14BIT V-OUT 16TSSOP
IC MCU 8BIT 8KB FLASH 32UFBGA
IC TELECOM INTERFACE 10HMSOP
IC REG LINEAR POS ADJ 1A 20QFN
CENTRAL BGA
UPD789462GB-507-8ET NEC
PHI QFP
LPC47N250-MD-A0314 SMSC
SAB-C512A-2R8N SIEMENS
SMALL CELL BASE BAND FOR THE RES


