Deutsch
| Artikelnummer: | UMN10NTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1513 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 80 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | UMD6 |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 4 ns |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Diodenkonfiguration | 3 Independent |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 nA @ 70 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 100mA |
| Grundproduktnummer | UMN10 |
| UMN10NTR Einzelheiten PDF [English] | UMN10NTR PDF - EN.pdf |




UMN10NTR
LAPIS Semiconductor
Das UMN10NTR ist ein Oberflächenmontage-3-fach-Diode-Array von LAPIS Semiconductor. Es zeichnet sich durch eine geringe Durchlassspannung, niedrigen Rückwärtsdurchlass und schnelle Rückwärtswiedergewinnungszeit aus.
3 unabhängige Dioden
Geringe Durchlassspannung (1,2 V bei 100 mA)
Niedriger Rückwärtsdurchlass (100 nA bei 70 V)
Schnelle Rückwärtswiedergewinnungszeit (4 ns)
Oberflächenmontagegehäuse
Kompaktes, platzsparendes Design
Hervorragende elektrische Leistung
Zuverlässige und langlebige Konstruktion
Tape & Reel (TR) Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Gehäuse
RoHS-konform
Das UMN10NTR ist ein aktives Produkt, und es sind keine Pläne zur Einstellung bekannt. Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar; bitte wenden Sie sich an unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Allgemeine Gleichrichtung
Signalaufbereitung
Spannungsbegrenzung
Schaltungsschutz
Das aktuellste Datenblatt für das UMN10NTR steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, das Datenblatt für vollständige technische Spezifikationen herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für das UMN10NTR auf unserer Website an. Holen Sie sich ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unser weiteres Sortiment.
ROHM SOT353
ROHM 353
ROHM SOT353
CJ SOT353
SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
UMN11 ROHM
UMN11N ROHM
DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
NMEA MINI-C SCREW-IN
UMN1N-TR ROHM
UMN11 N TN ROHM
ROHM SOT363
ROHM SOT-363
UMN1N TR ROHM
UMN1N ROHM
SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO
ROHM SOT353
ROHM SOT-363
ROHM SOT353
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/23
2024/08/25
2024/11/5
2024/10/8
UMN10NTRRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|