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| Artikelnummer: | FQP55N10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.4273 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 155W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 55A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQP55 |
| FQP55N10 Einzelheiten PDF [English] | FQP55N10 PDF - EN.pdf |




FQP55N10
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N-Kanal 100V 55A (Tc) 155W (Tc) Gehäuse mit Durchgangsloch TO-220AB
N-Kanal MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
55A Dauer-Belastungsstrom
155W Leistungsaufnahme
Durchgangsloch-Gehäuse TO-220AB
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Hohe Strombelastbarkeit
Zuverlässige Performance
Für vielfältige Leistungsanwendungen geeignet
Gehäusetyp: Tube
Gehäuse: TO-220-3
Gerätegehäuse des Herstellers: TO-220AB
Pin-Konfiguration: Durchgangsloch
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsaufnahme von 155W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) von 100V, Dauer-Belastungsstrom (Id) von 55A (Tc)
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