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| Artikelnummer: | BSP322PH6327XTSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.2369 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 380µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 372 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Tc) |
| Grundproduktnummer | BSP322 |
| BSP322PH6327XTSA1 Einzelheiten PDF [English] | BSP322PH6327XTSA1 PDF - EN.pdf |




BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies - Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der BSP322PH6327XTSA1 ist ein P-Kanal-MOSFET aus der SIPMOS®-Serie, hergestellt von Infineon Technologies. Es handelt sich um ein Einzelfet mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem Dauer-Drainstrom von 1 A bei 25 °C.
P-Kanal-MOSFET
SIPMOS®-Serie
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 1 A bei 25 °C
Ansteuerungsspannung (max. Rds On, min. Rds On) von 4,5 V und 10 V
On-Zustands-Widerstand (Rds On) von 800 Milliohm bei 1 A, 10 V
Schwellenspannung (Vgs(th)) von 1 V bei 380 µA
Gate-Ladung (Qg) von 16,5 nC bei 10 V
Zulässige Gate-Source-Spannung (Vgs) von ±20 V
Eingangskapazität (Ciss) von 372 pF bei 25 V
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Großer Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C
Oberflächenmontagegehäuse für einfache PCB-Integration
Tape & Reel (TR) Verpackung
Gehäusetyp TO-261-4, TO-261AA
Oberflächenmontage-Design
Dieses Produkt ist aktuell aktiv und wird produziert. Äquivalente oder alternative Modelle sind erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam auf unserer Webseite für weitere Informationen.
Netzteile
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Schaltkreise
Automotive Electronics (Automobiltechnik)
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