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| Artikelnummer: | SUD70090E-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 50A TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.253 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | ThunderFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SUD70090 |
| SUD70090E-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SUD70090E-GE3 PDF - EN.pdf |




SUD70090E-GE3
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für Vishay-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der SUD70090E-GE3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus Vishays ThunderFET®-Serie. Er ist für eine Vielzahl an Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet zuverlässige Leistung.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 50 A
Geringer On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robuste Avalanche-Energiefähigkeit
Oberflächenmontierte Gehäusevariante (DPAK/TO-252-3, SC-63)
Hervorragendes thermisches Management
Hohe Effizienz
Zuverlässige Leistung
Vielseitig einsetzbar für verschiedene Anwendungen
Verpackungsart: Stückliste (Bulk)
Gehäusetyp: TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörperbrücke), SC-63
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsaufnahme (Power Dissipation): 125 W (bei Tc)
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V, Gate-Source-Spannung (Vgs): Max. ±20 V, Rds On (Max): 8,9 mΩ bei 20 A, 10 V, Schwellenspannung (Vgs(th)): Max. 4 V bei 250 µA, Gate-Ladung (Qg): Max. 50 nC bei 10 V, Eingangskapazität (Ciss): Max. 1950 pF bei 50 V
Der SUD70090E-GE3 ist ein aktiv geführtes Produkt. Vishay bietet möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle an. Bitte wenden Sie sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam auf unserer Website.
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Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den SUD70090E-GE3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
VISHAY TO252
SUD70N03-06P VISHAY
MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
VISHAY TO-252
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
VISHAY TO-252
VISH TO-252
SUD70N02-04P VISHAY
ST TO-252
SUD70N03-06P-E3 VB
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
VISHAY TO-252
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
VISHAY TO-252
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
SUD70N02-05P-T4 VIHSAY
SUD70N03-04P V
SUD70N02-03P VISHAY
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SUD70090E-GE3Vishay Siliconix |
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