Deutsch
| Artikelnummer: | SIR646DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 5W (Ta), 54W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2230 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SIR646 |
| SIR646DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIR646DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SIR646DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
N-Kanal 40V 60A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK SO-8
MOSFET-Technologie (Metalloxid)
N-Kanal
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 40V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C von 60A (Tc)
Maximaler Leistung-Dissipation (Ptot) von 5W (Ta), 54W (Tc)
Oberflächenmontage PowerPAK SO-8 Gehäuse
Hohe Leistungsfähigkeit
Niediger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Kompaktes Gehäuse für Oberflächenmontage
Cut Tape (CT) Verpackung
PowerPAK SO-8 Gehäuse
Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (TJ)
Montageart: Oberflächenmontage
Dieses Produkt ist nicht vom Auslauf bedroht.
Gleichoder Ersatzmodelle sind erhältlich. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über die Webseite.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für das Modell SIR646DP-T1-GE3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
VISHAY DFN5X6
VISHAY QFN
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
VISHAY QFN-8
VISHAY PowerPAKSO-8
VISHAY DFN8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
VISHAY DFN5X6
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
VISHAY PAKSO-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
VISHAY PAKSO-8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/04/4
2025/01/21
2025/02/10
2024/06/14
SIR646DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|