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| Artikelnummer: | IRF510STRLPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5282 |
| 10+ | $1.289 |
| 30+ | $1.1587 |
| 100+ | $1.0104 |
| 500+ | $0.9446 |
| 800+ | $0.9139 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 43W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF510 |
| IRF510STRLPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF510STRLPBF PDF - EN.pdf |




IRF510STRLPBF
Electro-Films (EFI) / Vishay
N-Kanal 100V, 5,6A (Tc), 43W (Tc) Oberflächenmontage
N-Kanal MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
5,6A Dauer-Durchlassstrom
43W Leistungsaufnahme
Hohe Leistungsfähigkeit
Niediger On-Widerstand
Gehäuse für Oberflächenmontage
Cut Tape (CT) Verpackung
TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
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