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| Artikelnummer: | IRF510 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4213 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 43W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF510 |
| IRF510 Einzelheiten PDF [English] | IRF510 PDF - EN.pdf |




IRF510
Vishay ist ein renommierter Hersteller von elektronischen Komponenten, und Y-IC ist ein qualitativer Distributor von Vishay-Produkten. Kunden können darauf vertrauen, dass sie die besten Produkte und Services von Y-IC erhalten.
Der IRF510 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 5,6 A bei 25 °C. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Leistungsregelungs- und Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
100 V Drain-Source-Spannung
5,6 A Dauerstrom bei 25 °C
Ansteuerungsspannung von 10 V
Maximaler On-Widerstand von 540 mΩ bei 3,4 A und 10 V
Maximaler Gate-Source-Schwellenspannung von 4 V bei 250 µA
Maximaler Gate-Ladung von 8,3 nC bei 10 V
Maximal mögliche Gate-Source-Spannung von ±20 V
Maximaler Eingangskapazität von 180 pF bei 25 V
Zuverlässige und langlebige Leistung
Effiziente Energieverwaltung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Der IRF510 ist in einem TO-220-3 (TO-220AB) Durchsteckpaket verpackt. Das Gehäuse bietet thermische und elektrische Eigenschaften, die für die jeweilige Anwendung geeignet sind.
Der IRF510 ist ein veraltetes Produkt und daher nicht mehr in aktiver Produktion. Es könnten jedoch gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Kunden werden gebeten, das Verkaufsteam von Y-IC für weitere Informationen zu kontaktieren.
Stromversorgungsund Steuerungsschaltungen
Schaltanwendungen
Motorsteuerung
Lichtsteuerung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste und offizielle Datenblatt für den IRF510 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details und Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRF510 oder vergleichbare Modelle auf der Y-IC-Website einzuholen. Besuchen Sie die Webseite und verwenden Sie die Schaltflächen „Anfrage stellen“ oder „Weitere Informationen“, um den Vorgang zu starten.
IRF510NPBF I
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
NULL TO220
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
IR TO-263
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
IGBT Modules
IR TO-263
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
IR TO-220
SSS TO-220
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IRF510A SEC
IR TO-220
IR TO-220
IR TO-263
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
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IRF510Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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