Deutsch
| Artikelnummer: | US1MHE3_A/I |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.0866 |
| 50+ | $0.0673 |
| 150+ | $0.0576 |
| 500+ | $0.0503 |
| 2500+ | $0.0446 |
| 7500+ | $0.0416 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | US1M |
| US1MHE3_A/I Einzelheiten PDF [English] | US1MHE3_A/I PDF - EN.pdf |




US1MHE3_A/I
Y-IC ist ein qualifizierter Händler für Produkte von Vishay-Semi-Diode. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der US1MHE3_A/I ist eine schnelle Sperr-Diode in SMD-Gehäuseform DO-214AC (SMA). Entwickelt für Gleichrichter- und Schaltanwendungen, bietet diese Diode hohe Leistung und Zuverlässigkeit.
Schnelle Erholzeit von ≤ 500 ns (bei Io > 200 mA)
Spannungsfestigkeit von 1000 V
Niedrige Vorwärtsspannung von 1,7 V bei 1 A
Automobilqualifikation (AEC-Q101)
Oberflächenmontiertes Gehäuse DO-214AC (SMA)
Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen
Zuverlässige Leistung in Automobilund Industriebereichen
Platzsparendes Oberflächenmontagegehäuse
Rolle & Band (Tape & Reel, TR)
Oberflächenmontiertes Gehäuse DO-214AC (SMA)
Elektrische Eigenschaften: 1000 V Sperrspannung, 1 A Durchschnittsgleichstrom
Der US1MHE3_A/I ist ein aktives Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
Gleichrichter
Schaltanwendungen
Automotiveund Industrieelektronik
Das zuverlässigste Datenblatt für den US1MHE3_A/I ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Webseite ein Angebot anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
SOD123
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
VISHAY DO-214AC-2
LITEON SMD
VISHAY SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
VISHAY SMD
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
SENSITRON SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
US1MW Original
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/02/11
2025/02/10
2024/10/30
2025/02/23
US1MHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|