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| Artikelnummer: | US1B-E3/61T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1076 |
| 50+ | $0.0861 |
| 150+ | $0.0753 |
| 500+ | $0.0673 |
| 1800+ | $0.0608 |
| 5400+ | $0.0576 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | US1B |
| US1B-E3/61T Einzelheiten PDF [English] | US1B-E3/61T PDF - EN.pdf |




US1B-E3/61T
Vishay Semiconductors ist ein renommierter Hersteller, und Y-IC ist ein qualifizierter Distributor, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der US1B-E3/61T ist eine einzelne Diode in einem DO-214AC (SMA)-Gehäuse. Sie zeichnet sich durch schnelles Ansprechverhalten und niedrige Vorwärtsspannung aus, was sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet macht.
– Schnelle Erholzeit: ≤ 500 ns bei > 200 mA (Io)
– Niedrige Vorwärtsspannung: 1 V bei 1 A
– Rückholzeit (trr): 50 ns
– Rückwärtsleckstrom: 10 µA bei 100 V
– Kapazität: 15 pF bei 4 V, 1 MHz
– Geeignet für Hochfrequenz- und Hochleistungsschaltwandler sowie andere Anwendungen
– Robustes Design mit hoher Zuverlässigkeit
– Kompaktes, platzsparendes Gehäuse
– Reihenkartonverpackung (Tape & Reel)
– DO-214AC (SMA)-Gehäuse
– Surface-Mount-Technologie
– Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
– Das US1B-E3/61T ist ein aktives Produkt, und es sind keine Pläne zur Einstellung vorgesehen.
– Entsprechende oder alternative Modelle: Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam auf unserer Website für weitere Informationen.
– Schaltnetzteile
– Netzfilter- und Phasenangleichkreise
– Freilaufdioden
– Allgemeine Gleichrichteranwendungen
Das maßgebliche Datenblatt für den US1B-E3/61T ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den US1B-E3/61T auf unserer Website anzufordern. Besuchen Sie unsere Website und klicken Sie auf ‚Angebot anfordern‘, um ein persönliches Preisangebot zu erhalten.
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
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US1B-E3 VISHAYMAS
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
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