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| Artikelnummer: | IPS110N12N3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | VBsemi |
| Teil der Beschreibung.: | I PG-TO252- |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| IPS110N12N3G Einzelheiten PDF [English] | IPS110N12N3G PDF - EN.pdf |




IPS110N12N3G
I ist ein hochwertiger Hersteller von Leistungsmess-ICs, und Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der IPS110N12N3G ist ein leistungsstarker, hocheffizienter Power-MOSFET, der für unterschiedliche Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.
– N-Kanal-Leistungs-MOSFET
– Hohe Durchbruchsspannung von 120 V
– Niediger On-Widerstand von 0,11 Ω
– Schnelle Schaltgeschwindigkeit
– Geeignet für Hochfrequenz-Schaltanwendungen
– Hohe Effizienz bei der Energieumwandlung
– Kompaktes und platzsparendes Design
– Zuverlässige und langlebige Leistung
– Einfache Integration in verschiedene Energiesysteme
– PG-TO252-Gehäuse
– Kunststoffgehäuse
– Abmessungen: 6,5 mm x 10,1 mm x 4,5 mm
– 3-Pin-Konfiguration
– Für Hochtemperaturanwendungen geeignet
– Das IPS110N12N3G ist ein aktives Produkt und derzeit in Produktion.
– Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, wie z. B. das IPS112N12N3G und das IPS115N12N3G.
– Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
– Schaltende Netzteile
– Motorsteuerungen
– Industrielle Automatisierung
– Fahrzeugtechnik und Elektronik
Das aktuellste und vertrauenswürdigste Datenblatt für den IPS110N12N3G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IPS110N12N3G über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und andere Lösungen im Bereich Strommanagement.
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
INFINEO to251
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
IPS105N03L Infineon
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
IPS116D PHL
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPS105N03L G VB
IPS1052GTRPBF. IR
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
IR SOP8
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
INDUCTIVE SENSOR METRIC 12
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
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2025/11/3
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2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
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2025/08/25
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IPS110N12N3GVBsemi |
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Zielpreis (USD)
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