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| Artikelnummer: | S2DHM4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 6000+ | $0.0715 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
| Standardpaket | 3,000 |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.5µs |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 200V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1µA @ 200V |
| Strom - Richt (Io) | 2A |
| Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| S2DHM4G Einzelheiten PDF [English] | S2DHM4G PDF - EN.pdf |




SAMSUNG BGA
S2DPA01B01-J030 SAMSUNG
Interface
2 RU D-RING CABLE RETAINER, 80MM
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
SAMSUNG BGA
DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
S2DNE60 ST
SWITCH SLIDE DPDT 0.4VA 20V
SWITCH SLIDE DPDT 0.4VA 20V
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
S2DHE3/52T VISHAY
SAMSUNG DFN
S2DHE3/61T VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA
VISHAVY SMD104
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S2DHM4GTSC (Taiwan Semiconductor) |
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