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| Artikelnummer: | HER307G R0G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3750+ | $0.1532 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
| Standardpaket | 1,250 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
| Andere Namen | HER307G R0G-ND HER307GR0G |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 800V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
| HER307G R0G Einzelheiten PDF [English] | HER307G R0G PDF - EN.pdf |




DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
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75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
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HER307G R0GTSC (Taiwan Semiconductor) |
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