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| Artikelnummer: | K4B4G1646B-HCK0 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Samsung Electro-Mechanics |
| Teil der Beschreibung.: | K4B4G1646B-HCK0 SAMSUNG |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.9177 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| K4B4G1646B-HCK0 Einzelheiten PDF [English] | K4B4G1646B-HCK0 PDF - EN.pdf |




K4B4G1646B-HCK0
SAMSUNG
Der K4B4G1646B-HCK0 ist ein Hochleistungs-DRAM (Dynamic Random Access Memory) integrierter Schaltkreis, hergestellt von SAMSUNG. Er wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von elektronischen Geräten und Systemen entwickelt, die schnelle Datenübertragung und hohen Speicherbedarf erfordern.
Großer Speicher: 4 Gb (Gigabit)
Hohe Datentransferrate: Bis zu 1600 Mbps (Megabit pro Sekunde)
Geringer Stromverbrauch
Ball Grid Array (BGA) Gehäuse
Erhöhte Systemleistung und Reaktionsfähigkeit
Effizientes Energiemanagement für verlängerte Batterielaufzeiten bei Mobilgeräten
Zuverlässige und konsistente Datenspeicherung
Gehäusetyp: Ball Grid Array (BGA)
Gehäusegröße: 15 x 15 mm
Pin-Konfiguration: 96 Pins
Thermische Eigenschaften: Unterstützt Betriebstemperaturen von -40°C bis +85°C
Elektrische Eigenschaften: Unterstützt Betriebsspannung von 1,2 V
Das K4B4G1646B-HCK0 ist ein aktives Produkt und steht nicht vor der Einstellung.
Es sind entsprechende oder alternative DRAM-Modelle von SAMSUNG erhältlich. Für detaillierte Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam über die Y-IC-Website.
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Der maßgebliche Datenblatt für das K4B4G1646B-HCK0 ist auf der Y-IC-Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Fordern Sie jetzt Angebote für das K4B4G1646B-HCK0 auf der Y-IC-Website an. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser kostenloses Sonderangebot, um die besten Konditionen für dieses Hochleistungs-DRAM-IC zu sichern.
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