Deutsch
| Artikelnummer: | STU9HN65M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2084 |
| 225+ | $0.4822 |
| 525+ | $0.4666 |
| 975+ | $0.458 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
| Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STU9H |
| STU9HN65M2 Einzelheiten PDF [English] | STU9HN65M2 PDF - EN.pdf |




STU9HN65M2
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke STMicroelectronics. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STU9HN65M2 ist ein Hochvolt-N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der MDmesh™ M2 Serie, hergestellt von STMicroelectronics.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
650 V Drain-Source-Spannung
5,5 A Dauer-Drain-Strom
Maximal 820 mOhm on-Widerstand
Maximal 11,5 nC Gate-Ladung
Durchlochgehäuse TO-251 (IPAK)
Hohe Durchbruchsspannung für Hochspannungsanwendungen
Niedriger on-Widerstand für effizienten Leistungsumschaltung
Zuverlässiges und robustes Design
Der STU9HN65M2 ist in einem TO-251 (IPAK) Durchlochgehäuse verpackt. Die kurzen Beinchen und das Gehäusedesign sind für verschiedene Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen geeignet.
Der STU9HN65M2 ist ein veraltetes Produkt. Kunden sollten unseren Vertrieb auf der Webseite kontaktieren, um Informationen über verfügbare Ersatzmodelle oder Alternativen zu erhalten.
Hochspannungsnetzteile
Motorsteuerungen
Schaltnetzteile
Industrieautomatisierung
Das aktuellste Datenblatt für den STU9HN65M2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STU9HN65M2 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
ST TO-220
STU9NA60 ST
TO-252
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
SAMHOP TO-252
STU9NC80Z ST
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
SPEAKER RECTANGULAR 1PC
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
EIC SMA
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
STU9NC80 ST
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
STU9NC80ZI ST
ST TO-251
SAMHOP TO-252
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STU9HN65M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|