Deutsch
| Artikelnummer: | STU8N80K5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 6A TO251 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9304 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
| Serie | SuperMESH5™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STU8N80 |
| STU8N80K5 Einzelheiten PDF [English] | STU8N80K5 PDF - EN.pdf |




STU8N80K5
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der STU8N80K5 ist ein Hochspannungs- und Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er ist Teil der SuperMESH5™-Serie und wurde für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik und Motorkontrolle entwickelt.
N-Kanal MOSFET
800V Drain-Source-Spannung (Vdss)
6A Dauer-Belastungsstrom (Id) bei 25 °C
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 950 mΩ
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 16,5 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hohe Spannungsund Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Geeignet für vielfältige Leistungsanwendungen
Verpackt in einem TO-251 (IPAK) Gehäuse mit Durchsteckmontage
Kurze Anschlussdrähte, TO-251-3 Format
Für einfache Montage und thermisches Management ausgelegt
Aktuelles & verfügbar
Entsprechende Modelle wie das STU8N80 sind erhältlich
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite
Energieumwandlung
Motorsteuerung
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STU8N80K5 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden sollten es für detaillierte Produktspezifikationen herunterladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot über unsere Webseite an. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt noch heute!
TO-252
ST TO-251
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
MOSFET N-CH 40V 80A TO251
SAMHOP TO252
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
STU7NM62N ST
STU802S SAMHOP
STU7NM62N-H ST
STU8NB90I ST
STU8NC80Z ST
STU7NM60N-1 ST
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/05/16
2025/06/30
2025/03/31
2025/07/16
STU8N80K5STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|