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| Artikelnummer: | STP28N65M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.4207 |
| 10+ | $5.6472 |
| 30+ | $5.1753 |
| 100+ | $4.7784 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 170W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP28 |
| STP28N65M2 Einzelheiten PDF [English] | STP28N65M2 PDF - EN.pdf |




STP28N65M2
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Händler von STMicroelectronics, einem führenden Hersteller hochleistungsfähiger Halbleiterprodukte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STP28N65M2 ist ein leistungsstarker, N-Kanal-Leistung-MOSFET aus der MDmesh™ M2-Serie von STMicroelectronics. Er ist speziell für eine Vielzahl von Energieumwandlungs- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
650V Drain-Source-Spannung
20A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Niedriger RÖ-on-Wert von 180mΩ bei 10A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Gehäuse im TO-220-Durchsteckformat
Herausragende Energieeffizienz
Hohe Zuverlässigkeit
Robustes Design
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Der STP28N65M2 wird in einem standardisierten TO-220-3-Durchsteckgehäuse geliefert. Die maximale Leistungsausbeute beträgt bei einem Gehäusetemperatur von 25°C 170W.
Der STP28N65M2 ist ein aktiviertes Produkt. Es gibt gleichwertige und alternative Modelle wie den STP30N65M2, STP32N65M2 und STP34N65M2. Für weitere Informationen können Kunden unser Vertriebsteam auf unserer Website kontaktieren.
Netzteile
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Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STP28N65M2 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es direkt von der Produktseite herunterzuladen.
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