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| Artikelnummer: | STP100N10F7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 100V 80A TO-220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.109 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4369 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP100 |
| STP100N10F7 Einzelheiten PDF [English] | STP100N10F7 PDF - EN.pdf |




STP100N10F7
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der STP100N10F7 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er verfügt über die DeepGATE- und STripFET VII-Technologien, die erstklassige Leistung und Zuverlässigkeit garantieren.
N-Kanal-MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
80A Dauer-Sipplstrom
Geringer On-Widerstand (8mΩ)
Schnelle Schaltfähigkeit
Hohe Leistungsdissipation (150W)
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55°C bis 175°C)
Hervorragende Energieeffizienz und thermisches Management
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Optimiert für Hochleistungs-Schaltund Steuerkreise
TO-220 Durchsteckgehäuse
Röhrchenverpackung
Ideal für Hochleistungsund Hochstromanwendungen
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