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| Artikelnummer: | STH110N10F7-2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.2741 |
| 10+ | $2.9373 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 55A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5117 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STH110 |
| STH110N10F7-2 Einzelheiten PDF [English] | STH110N10F7-2 PDF - EN.pdf |




STH110N10F7-2
Y-IC ist ein Qualitätsdistributeur von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STH110N10F7-2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er verfügt über die DeepGATE™- und STripFET™ VII-Technologien für verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit.
– N-Kanal-MOSFET\n– Drain-Source-Spannung von 100V\n– Kontinuierlicher Drain-Strom von 110A\n– Maximale On-Widerstand von 6,5 mΩ\n– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
– Verbesserte Effizienz und Wärmeverwaltung\n– Robuste und zuverlässige Leistung\n– Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
– Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung\n– TO-263-3, D2PAK (2 Anschlussdrähte + Kühlkörper), TO-263AB Gehäuse\n– Oberflächenmontage-Design
– Der STH110N10F7-2 ist ein veraltetes Produkt\n– Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
– Hochleistungs-Schaltnetzteile\n– Motorantriebe\n– Industrielle Automatisierung und Steuerung\n– Automobilelektronik
Das offizielle Datenblatt für den STH110N10F7-2 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
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STH110N10F7-2STMicroelectronics |
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Zielpreis (USD)
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