STMicroelectronics STGB14NC60KDT4

Herstellerteilenummer

STGB14NC60KDT4

Hersteller

STMicroelectronics - Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der STGB14NC60KDT4 ist ein einzelner IGBT-Leistungstransistortyp (Isolierter Gate-Bipolar-Transistor) aus der PowerMESH™-Serie von STMicroelectronics. Er ist für den Einsatz in verschiedensten Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.

Schlüsselmerkmale

– Spannungsfestigkeit – Kollektor-Emitter Durchbruch (Max): 600 V

– Strom – Kollektor (Ic) (Max): 25 A

– Pulsstrom – Kollektor (Icm): 50 A

– Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2,5 V @ 15 V, 7 A

– Maximale Leistung: 80 W

– Schaltenergie: 82 µJ (An), 155 µJ (Aus)

– Eingangsart: Standard

– Gate-Ladung: 34,4 nC

– Einschalt-/Ausschaltzeit (Td) @ 25°C: 22,5 ns / 116 ns

– Reverse Recovery Time (trr): 37 ns

– Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C (TJ)

Wichtigste Vorteile

– Robuste und zuverlässige Leistung

– Effiziente Leistungsumschaltung

– Für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet

Verpackung

– Tape & Reel (TR) Verpackung

– D2PAK (2 Kontakte + Anschlussfahne), TO-263AB Gehäuse

– Oberflächenmontage (SMD)

Lebenszyklus

Der STGB14NC60KDT4 ist ein aktives Produkt. Es können auch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Motorsteuerungen

– Schaltnetzteile

– Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

– Industrieanwendungen

– Schweißgeräte

Datenblatt

Das umfassendste Datenblatt für den STGB14NC60KDT4 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.

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