Deutsch
| Artikelnummer: | STB5NK52ZD-1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK |
| Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.9 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 520 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB5N |
| STB5NK52ZD-1 Einzelheiten PDF [English] | STB5NK52ZD-1 PDF - EN.pdf |




STB5NK52ZD-1
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Produkten von STMicroelectronics. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB5NK52ZD-1 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er ist Teil der SuperMESH™-Serie und verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 520V sowie einen Dauerstrom von 4,4A.
N-Kanal-MOSFET
Hohe Spannung: 520V Drain-Source
Hoher Strom: 4,4A Dauerstrom
Geringe On-Widerstand: 1,5Ω bei 2,2A, 10V
Schnelle Schaltzeiten
Durchkontaktierungsmontage (Through-Hole Mounting)
Robuste und zuverlässige Leistung
Hohe Effizienz und geringe Energieverluste
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Der STB5NK52ZD-1 ist in einem TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Gehäuse verpackt. Die Leistungsaufnahme beträgt 70W (Tc), und er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C (TJ) betrieben werden.
Das Produkt STB5NK52ZD-1 ist veraltet. Kunden werden gebeten, unsere Verkaufsabteilung über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Hochspannungsund Hochstrom-Schaltanwendungen
Industrie-Stromversorgungen
Motorantriebe
Wechselrichter und Konverter
Das maßgebliche Datenblatt für den STB5NK52ZD-1 finden Sie auf unserer Webseite. Es wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.
Kunden können auf unserer Webseite Angebote für den STB5NK52ZD-1 anfordern. Fordern Sie noch heute ein Angebot für dieses Aktionsangebot an!
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
ST BGA
ST TO-262
MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
ST BGA
STB6000 ST
STB6000/DLP ST
STB5NC50-1 SY
STB6000 QFN32 STM
ST TO-263
ST TO-263-2
ST TO-263
STB5NC50T4 ST
ST QFN
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
STB5NA50T4 ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STB5NK52ZD-1STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|