Deutsch
| Artikelnummer: | STB5N52K3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | SuperMESH3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 525 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB5N |
| STB5N52K3 Einzelheiten PDF [English] | STB5N52K3 PDF - EN.pdf |




STB5N52K3
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB5N52K3 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET aus der SuperMESH3™-Serie von STMicroelectronics. Er ist für Hochleistungs- und Hochspannung-Anwendungen konzipiert.
N-Kanal MOSFET
Sperrspannung (Drain-Source) 525V
Kontinuierlicher Drain-Strom 4,4A
Maximale On-Widerstand (R_DS(on)) 1,5Ω
Maximale Gate-Ladung 17nC
Gehäuse: TO-263 (D2PAK)
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Hohe Spannungsund Stromtragfähigkeit
Geringer On-Widerstand für geringe Verluste
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse
Der STB5N52K3 ist in einem TO-263 (D2PAK) Gehäuse für Oberflächenmontage erhältlich. Das Gehäuse verfügt über 2 Anschlussbeine und eine Wärmeableitungslasche für eine effiziente Wärmeabfuhr.
Der STB5N52K3 ist ein auslaufendes Produkt. Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Schalt-Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Hochspannungs-Industrieund Verbraucher-electronic
Das wichtigste Datenblatt für den STB5N52K3 steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden sollten es für detaillierte technische Spezifikationen herunterladen.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Webseite ein Angebot für den STB5N52K3 anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und profitieren Sie von unseren besten Preisen und Verfügbarkeiten.
STB5NA50T4 ST
STB5NC50-1 SY
ST QFN32
ST TO-263-2
IC GPS RF FRONT-END 32-TQFP
ST TO-262
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STB5600 ST
MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
STB5701 ST
ST SOT-263
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
ST SOT-263
STB5701TR ST
ST SOT-263
STB5NC50T4 ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STB5N52K3STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|