Deutsch
| Artikelnummer: | STB33N60M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $11.1935 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 13A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1781 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB33 |
| STB33N60M2 Einzelheiten PDF [English] | STB33N60M2 PDF - EN.pdf |




STB33N60M2
Y-IC, ein vertrauenswürdiger Distributor, bietet stolz STMicroelectronics an, eine renommierte Marke bekannt für ihre hochwertigen Produkte.
Der STB33N60M2 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh™ II Plus-Serie, der außergewöhnliche Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen liefert.
• 600V Drain-Source-Spannung
• 26A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
• Niediger On-Widerstand von 125 mΩ bei 13A, 10V
• Schneller Schaltvorgang und geringe Gate-Ladung von 45,5 nC bei 10V
• Ausgezeichnete Leistungsfähigkeit
• Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
• Zuverlässig und langlebig für den Langzeiteinsatz
• Geeignet für vielfältige Hochspannungsanwendungen
• Tape & Reel (TR) Verpackung
• TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse
• 2 Leads + Tab-Konfiguration
• Bestens geeignet für Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen
• Dieses Produkt ist aktuell aktiv und in Produktion.
• Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
• Schaltende Netzteile
• Motorantriebe
• Wechselrichter
• Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das aktuellste Datenblatt für den STB33N60M2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden werden ermutigt, auf unserer Webseite Angebote für den STB33N60M2 anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und einer zuverlässigen Versorgung zu profitieren.
STB30NS15T4 ST
MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
STB30NS15 ST
MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/26
2024/10/30
2025/01/22
2025/05/30
STB33N60M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|