Deutsch
| Artikelnummer: | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $26.2546 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse | HiP247™ |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Verlustleistung (max) | 318W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SCTWA50 |
| SCTWA50N120 Einzelheiten PDF [English] | SCTWA50N120 PDF - EN.pdf |




SCTWA50N120
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SCTWA50N120 ist ein 1200V Siliziumkarbid (SiCFET) N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er bietet eine hohe Leistungsdichte, schnelles Schalten und hohe Effizienz für Anwendungen im Bereich der Stromumwandlung.
1200V Siliziumkarbid (SiCFET) N-Kanal-MOSFET
Dauer-Drainstrom: 65A bei 25°C
ON-Widerstand: 69mΩ bei 40A, 20V
Gate-Ladung: 122nC bei 20V
Weites Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 200°C
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Schnelles Schalten für reduzierte Schaltverluste
Hervorragende thermische Leistung
Verpackt in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse
Röhrchen-Verpackung
Dieses Produkt ist aktuell aktiv und in Produktion.
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Stromumwandlung
Motorantriebe
Erneuerbare Energiesysteme
Elektromobilität
Das aktuellste Datenblatt für den SCTWA50N120 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SUPER DIP
DISCRETE
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
SUPERCHIP SOP16
SICFET N-CH 650V 45A TO247
DISCRETE
DISCRETE
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
DISCRETE
FM SOP-14
SUPER DIP
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/08/22
2025/02/23
2025/03/6
2024/11/13
SCTWA50N120STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|