Deutsch

| Artikelnummer: | VN2110K1-G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micrel / Microchip Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2965 |
| 10+ | $1.0842 |
| 30+ | $0.9673 |
| 100+ | $0.836 |
| 500+ | $0.7767 |
| 1000+ | $0.7507 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 360mW (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Tj) |
| Grundproduktnummer | VN2110 |
| VN2110K1-G Einzelheiten PDF [English] | VN2110K1-G PDF - EN.pdf |




VN2110K1-G
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor von Produkten der Marken Micrel / Microchip Technology. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der VN2110K1-G ist ein einzelner N-Kanal Enhancement-Mode-MOSFET in einem SOT-23-3 Gehäuse.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 100V
Kontinuierlicher Drain-Gleichstrom: 200mA
Maximale On-Widerstand: 4Ω
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Oberflächenmontagegehäuse
Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effizienten Leistungsumschaltung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Umschließung: Tape & Reel (TR)
Gehäuse: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herstellergehäuse: SOT-23-3
Leistungsaufnahme (max.): 360 mW (T_c)
Der VN2110K1-G ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Energieverwaltung
Schaltkreise
Verstärker-Schaltungen
Motorsteuerung
Allzweck-Schalteranwendungen
Das offizielle Datenblatt für den VN2110K1-G ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es von der aktuellen Produktseite herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website einzuholen. Angebot anfordern, Mehr erfahren oder unsere zeitlich begrenzte Aktion nutzen.
VN2204N3 Supertex
ST HSOP10
IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
SUPERTEX SOT-23
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
TERM BLK 21P SIDE ENT 2.54MM PCB
VN2110K1 SUPERTEX
254 TB RIS CLA 180D SOL
IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
VN2210N3 VISHAY
VN2110K SI
VN21L ST
VN2206N3 VISHAY
IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
VN2110K1-GMicrochip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|