Deutsch

| Artikelnummer: | JANTX1N5553US |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micrel / Microchip Technology |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $9.9503 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 9 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | D-5B |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2 µs |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, E |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | 1N5553 |
| JANTX1N5553US Einzelheiten PDF [English] | JANTX1N5553US PDF - EN.pdf |




JANTX1N5553US
Semtech. Y-IC ist ein Qualitätsanbieter für Semtech-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Diode
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Robuste Konstruktion
Erfüllt militärische Spezifikationen
Zuverlässige Leistung in extremen Umgebungen
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Sichert einen gleichmäßigen und stabilen Betrieb
Hermetisch versiegeltes DO-201AD-Gehäuse
Ideal für Hochtemperaturund Hochspannungsanwendungen
Hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften
Der JANTX1N5553US ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige Modelle erhältlich, wie zum Beispiel 1N5553, 1N5554 und 1N5555. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Webseite.
Netzteile
Spannungsregulierung
Impuls-Schaltungen
Messtechnik
Militärische und Luftund Raumfahrtanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den JANTX1N5553US ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
DIODE GEN PURP 600V 5A
DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL
TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
DIODE GEN PURP 600V 5A B SQ-MELF
DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL
DIODE GEN PURP 600V 5A
DIODE GEN PURP 1KV 5A
D MET 3A STD 800V HR
D MET 3A STD 600V HRV SM
DIODE GEN PURP 800V 5A
DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL
D MET 3A STD 800V HR SM
DIODE GEN PURP 3A B SQ-MELF
D MET 3A STD 800V SM TR
DIODE GEN PURP 3A B SQ-MELF
D MET 3A STD 1KV HR
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
DIODE GEN PURP 600V 5A B SQ-MELF
TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2024/10/30
2025/03/28
2025/01/13
JANTX1N5553USMicrochip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|