Deutsch
| Artikelnummer: | UMB1NTN |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1272 |
| 200+ | $0.0508 |
| 500+ | $0.0491 |
| 1000+ | $0.0483 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | UMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 56 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Grundproduktnummer | UMB1 |
| UMB1NTN Einzelheiten PDF [English] | UMB1NTN PDF - EN.pdf |




UMB1NTN
ROHM Semiconductor - Y-IC ist ein hochwertiger Anbieter von Produkten von ROHM Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der UMB1NTN ist eine doppelte PNP-Bipolartransistor-Array mit vor-biased Widerständen. Er ist für den Einsatz in Kleinsignal- und Schaltanwendungen konzipiert.
Doppelte PNP-Bipolartransistor-Array
Vor-biased mit 22kΩ Basisund Emitter-Basis-Widerständen
Kollektorstromwertung von 100mA
Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch von 50V
Mindestens DC-Stromverstärkung (hFE) von 56
Maximaler Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 300mV
Maximaler Kollektor-Aus-Zeitstrom von 500nA
Maximaler Verlustleistung von 150mW
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Integrierte Widerstände eliminieren externe Komponenten
Geeignet für eine Vielzahl von Kleinsignalund Schaltanwendungen
Bandund Reel-Verpackung (TR)
6-poliges TSSOP, SC-88, SOT-363 Oberflächenmontagegehäuse
Gerätegehäuse des Herstellers: UMT6
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen
Alternative Modelle:
- UMB1NT – Einzelltransistor mit vor-biased Widerständen
- UMB1NP – Doppelte PNP-Bipolartransistor-Array ohne vor-biased Widerstände
Bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam, um weitere Informationen zu verfügbaren Alternativen zu erhalten.
Kleinsignalverstärker
Schaltkreise
Bias-Schaltungen
Das aktuellste Datenblatt für den UMB1NTN ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für umfassende technische Details herunterzuladen.
Fordern Sie auf unserer Webseite Angebote für den UMB1NTN an. Erhalten Sie ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
BRIDGE RCT GLASS 100V .5A SOF2-4
UMB11 NFHATN ROHM
NA SOT363
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
UMB11NFSTN ROHM
BRIDGE RCT GLASS 200V .5A SOF2-4
UMB2N TN ROHM
UMB11N ROHM
ROHM SOT-363
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
ROHM SC70-6
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
UMB11NFHA ROHM
UMB11 NTN ROHM
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
ROHM SOT-363
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
ROHM SOT363
ROHM SOT363
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/02/16
2024/09/19
2025/02/3
2025/06/18
UMB1NTNRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|