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| Artikelnummer: | RDR005N25TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.1685 |
| 50+ | $0.1324 |
| 150+ | $0.117 |
| 500+ | $0.0977 |
| 3000+ | $0.0825 |
| 6000+ | $0.0775 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8Ohm @ 250mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 540mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-96 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 500mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | RDR005 |
| RDR005N25TL Einzelheiten PDF [English] | RDR005N25TL PDF - EN.pdf |




RDR005N25TL
LAPIS Semiconductor
Der RDR005N25TL ist ein N-Kanal-MOSFET von LAPIS Semiconductor. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen ausgelegt, darunter Netzteile, Motorsteuerungen und andere elektronische Geräte.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) bis zu 250V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bis zu 500mA bei 25°C
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) von 8,8Ω bei 250mA, 10V
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 3,5nC bei 10V
Input-Kapazität (Ciss) bis zu 70pF bei 25V
Weites Betriebstemperaturbereich bis zu 150°C
Effiziente Schaltleistung
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für reduzierte Leistungsaufnahme
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse
Gehäuse: Tape & Reel (TR)
Verpackung: TSMT3
Thermische Eigenschaften: Maximale Leistungsaufnahme von 540mW bei 25°C
Elektrische Eigenschaften: Technologie mit Metalloxid-MOSFET (MOSFET)
Das RDR005N25TL ist ein aktives Produkt und steht derzeit nicht vor der Einstellung. Es sind derzeit keine direkten Ersatzmodelle verfügbar. Kunden werden gebeten, unser Vertriebsteam über die Webseite für Aktualisierungen oder alternative Empfehlungen zu kontaktieren.
Netzteile
Motorsteuerung
Beleuchtung
Industrielle Elektronik
Automobile Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den RDR005N25TL ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um die vollständigen technischen Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den RDR005N25TL auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt unter [Webseiten-URL].
OMRON DIP
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RDR005N25 ROHM
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RDR005N25 TL ROHM
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RDR005N25TLRohm Semiconductor |
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