Deutsch
| Artikelnummer: | RYC002N05T316 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0491 |
| 100+ | $0.0383 |
| 300+ | $0.033 |
| 3000+ | $0.0289 |
| 6000+ | $0.0258 |
| 9000+ | $0.0242 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SST3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 350mW (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 26 pF @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | RYC002 |
| RYC002N05T316 Einzelheiten PDF [English] | RYC002N05T316 PDF - EN.pdf |




RYC002N05T316
Rohm Semiconductor
Der RYC002N05T316 ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor von Rohm Semiconductor. Er ist für allgemeine Anwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 200mA
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) 2,2Ω
Maximale Gate-Schwellen-Spannung (Vgs(th)) 800mV
Maximelle Eingangskapazität (Ciss) 26pF
Oberflächenmontage-Gehäuse
Zuverlässige Leistung
Effizientes Energiemanagement
Kompaktes und platzsparendes Design
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Gehäuse: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verpackung: Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Pin-Konfiguration: 3-Pin
Leistungsaufnahme: 350mW (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C (Tj)
Der RYC002N05T316 ist ein aktives Produkt.
Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
Allgemeine Elektronik
Stromversorgungs-Schaltungen
Schalttätigkeiten
Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den RYC002N05T316 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für die neuesten und genauesten Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
BUSS FUSEHOLDER WATERPROO
CONN EDGE DUAL FMALE 30POS 0.100
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOIC
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8SOIC
RYC8220-3M RAYCHEM
IC PWR SWTCH PRT SGL 1:1 SOT23-6
CONN EDGE DUAL FMALE 30POS 0.100
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOIC
RYC8502A Raychem
RYC8210-3M RAYCHEM
CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.100
RYC002N05 T316 ROHM
RYC002N05 ROHM
CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.100
RYC8502L Raychem
IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8SOIC
RYC002N05 T116 ROHM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/10/30
2024/04/27
2025/01/21
2024/11/13
RYC002N05T316Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|