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| Artikelnummer: | RUC002N05HZGT116 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0613 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SST3 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Verlustleistung (max) | 350mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | RUC002 |
| RUC002N05HZGT116 Einzelheiten PDF [English] | RUC002N05HZGT116 PDF - EN.pdf |




RUC002N05HZGT116
Rohm Semiconductor - Y-IC ist ein Qualitäts-Distributor von Rohm Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RUC002N05HZGT116 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 50 V und einem Dauer-Drain-Strom von 200 mA. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und ist für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET\n50 V Drain-Source-Spannung\n200 mA Dauer-Drain-Strom\nNiedriger On-Widerstand
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen\nZuverlässige Leistung\nKompakte SMD-Gehäuse
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung\nGehäusetyp: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Das Produkt RUC002N05HZGT116 ist aktiv\nEs sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, z.B. [Liste der gleichwertigen/alternativen Modelle]\nFür weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf der Y-IC Website.
Allgemeine Elektronik\nStrommanagement\nSchaltkreise
Das maßgebliche Datenblatt für den RUC002N05HZGT116 ist auf der Y-IC Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für detaillierte Informationen herunterzuladen.
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RELAY GEN PURPOSE 3PST 16A 120V
RUC002N05 T116 ROHM
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 16A 230V
RUC002N03 ROHM
RELAY GEN PURPOSE 3PST 16A 120V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 16A 230V
CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD
RUC002N05 ROHM
RUC002N05 GZ T116 ROHM
CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD
RUC002N05HZG ROHM
RUC SSOP24
RUC002N05HZG 116 ROHM
RELAY GEN PURPOSE 3PST 16A 230V
RELAY GEN PURPOSE 3PST 16A 120V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 16A 230V
INDUSTRIAL RELAY,2PDT(2CO -AGSNO
RELAY GEN PURPOSE 3PST 16A 120V
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Zielpreis (USD)
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