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| Artikelnummer: | RSJ10HN06TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 100A LPTS |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.8668 |
| 200+ | $1.1109 |
| 500+ | $1.0714 |
| 1000+ | $1.0524 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | LPTS |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 202 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RSJ10 |
| RSJ10HN06TL Einzelheiten PDF [English] | RSJ10HN06TL PDF - EN.pdf |




RSJ10HN06TL
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke ROHM Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der RSJ10HN06TL ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor, entwickelt für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Energieverwaltung und Schalttechnik.
N-Kanal-MOSFET
60 V Drain-Source-Spannung
100 A Dauer-Durchlassstrom
Niedriger On-Widerstand von 4,2 mΩ
Schnelle Schaltzeiten
Hohe Leistungsaufnahme von 100 W
Hervorragende Effizienz und thermische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für Hochleistungs-Schaltanwendungen
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD) Bauform
Das Produkt RSJ10HN06TL ist veraltet, aber ROHM Semiconductor bietet gleichwertige oder alternative Modelle an. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen zu kontaktieren.
Netzteile
Motorantriebe
Industrielle Automatisierung
Systeme für erneuerbare Energien
Das offiziellste Datenblatt für den RSJ10HN06TL ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RSJ10HN06TL auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
3.5MM JACK
3.5MM PHONE JACK
3.5MM STEREO JACK
RES CHAS MNT 67 UOHM 0.25%
RES CHAS MNT 50 UOHM 0.25%
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
ROHM RSJ300N10
MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
RES CHAS MNT 25 UOHM 0.25%
ROHM TO-263
RSJ250P10 ROHM
3.5MM STEREO JACK
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
RES CHAS MNT 33 UOHM 0.25%
ROHM SMDDIP
3.5MM MONO JACK
3.5MM AUDIO JACK
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RSJ10HN06TLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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