Deutsch
| Artikelnummer: | RRH090P03TB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5698 |
| 200+ | $0.2208 |
| 500+ | $0.2134 |
| 1000+ | $0.2088 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.4mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 650mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RRH090 |
| RRH090P03TB1 Einzelheiten PDF [English] | RRH090P03TB1 PDF - EN.pdf |




RRH090P03TB1
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von ROHM Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der RRH090P03TB1 ist ein P-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Es handelt sich um ein Oberflächemontagebauteil in einem 8-SOIC-Gehäuse.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 9A
On-Widerstand von 15,4 mOhm
Gate-Ladung von 30 nC
Maximaler Junction-Temperaturbereich von 150°C
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieübertragung
Kompaktes Oberflächemontagegehäuse
Blisterverpackung (Cut Tape) & Digi-Reel® Verpackung
8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Für neue Designs wird dieses Produkt nicht empfohlen.
Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Energiemanagement
Motorsteuerung
Schaltkreise
Das offiziellste Datenblatt für den RRH090P03TB1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RRH090P03TB1 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
RRH090P03 ROHM
VBSEMI SOIC-8
ROHM SOP-8
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
RRH100P03 TB ROHM
RRH140P03TB ROHM
VBSEMI SOIC-8
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
RRH100P03 ROHM
RRH090P03TB ROHM
ROHM SOP8
ROHM SOP-8
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
VBSEMI SOIC-8
RRH100P03TB ROHM
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/23
2024/08/25
2024/11/5
2024/10/8
RRH090P03TB1Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|