Deutsch

| Artikelnummer: | RQ6E040XNTCR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1921 |
| 200+ | $0.0767 |
| 500+ | $0.0741 |
| 1000+ | $0.0729 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT6 (SC-95) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 950mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RQ6E040 |
| RQ6E040XNTCR Einzelheiten PDF [English] | RQ6E040XNTCR PDF - EN.pdf |




RQ6E040XNTCR
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für ROHM Halbleiterprodukte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RQ6E040XNTCR ist ein N-Kanal-Leistungstransistor von ROHM Semiconductor. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Stromversorgungs- und Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung von 30V\nKontinuierlicher Drain-Strom von 4A\nGeringer On-Widerstand von 50mΩ\nGate-Schwellenspannung von 2,5V\nGate-Ladung von 3,3nC\nBetriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Effizienz und geringe Verlustleistung\nKleines Gehäuse für platzsparende Designs\nZuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung\nSOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 Gehäuse\nOberflächenmontage
Das RQ6E040XNTCR ist ein aktiv beworbenes Produkt\nEs sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungsund Managementschaltungen\nSchaltanwendungen\nAutomobile Elektronik\nIndustrieausrüstung
Das autoritativste Datenblatt für den RQ6E040XNTCR steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RQ6E040XNTCR auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren!
RQ6E035AT ROHM
RQ6E035SP ROHM
ROHM SOT23-6
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
RQ6E035TN ROHM
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RQ6E045RP ROHM
RQ6E050AJ ROHM
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
RQ6E045SN ROHM
ROHM SOT23-6
RQ6E030SP ROHM
MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
RQ6E045TN ROHM
RQ6E045BN Rohm
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/02/12
2025/06/24
2024/04/27
2025/02/11
RQ6E040XNTCRRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|