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| Artikelnummer: | RDN100N20FU6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FN |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 35W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 543 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RDN100 |
| RDN100N20FU6 Einzelheiten PDF [English] | RDN100N20FU6 PDF - EN.pdf |




RDN100N20FU6
ROHM Semiconductor ist ein renommierter Hersteller hochwertiger elektronischer Bauteile, darunter das RDN100N20FU6 MOSFET. Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler von ROHM-Produkten und sorgt dafür, dass Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen erhalten.
Der RDN100N20FU6 ist ein Durchsteck-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einem Dauer-Drain-Strom von 10 A bei 25 °C. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 200 V
Dauer-Drain-Strom: 10 A bei 25 °C
On-Widerstand (Rds(on)): 360 mΩ bei 5 A, 10 V
Gate-Ladung (Qg): 30 nC bei 10 V
Eingangs-Kapazität (Ciss): 543 pF bei 10 V
Hohe Durchbruchspannung für zuverlässigen Betrieb
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Schnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzanwendungen
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsmanagementund Schaltanwendungen
Der RDN100N20FU6 ist in einem TO-220-3 Gehäuse mit Vollverpackung für Durchsteckmontage verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften.
Das Produkt RDN100N20FU6 ist nicht mehr erhältlich. Kunden wird empfohlen, sich an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu äquivalenten oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorantriebe
Schaltregler
Wechselrichter
Industrieanlagen
Das aktuellste Datenblatt für den RDN100N20FU6 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den RDN100N20FU6 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und zuverlässiger Lieferung zu profitieren.
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RDN100N20FU6Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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