Deutsch
| Artikelnummer: | R6011ENX |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.1122 |
| 10+ | $3.034 |
| 30+ | $2.9804 |
| 100+ | $2.9283 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 40W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | R6011 |
| R6011ENX Einzelheiten PDF [English] | R6011ENX PDF - EN.pdf |




R6011ENX
Rohm Semiconductor
Der R6011ENX ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 11 A bei 25 °C. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand von 390 mΩ und eine Gate-Ladung von 32 nC, was ihn für verschiedene Anwendungen in der Stromumwandlung und im Schalten prädestiniert.
600 V Drain-Source-Spannung 11 A kontinuierlicher Drain-Strom 390 mΩ On-Widerstand 32 nC Gate-Ladung
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit Geringer On-Widerstand für bessere Effizienz Ideal für Stromumwandlungsund Schaltanwendungen
Der R6011ENX ist in einem TO-220-3 Gehäuse mit Vollverpackung für Durchsteckmontage erhältlich. Er kann eine Leistungsabgabe von 40 W bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C liefern.
Der R6011ENX ist ein aktiviertes Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie beispielsweise [hier gleichwertige Modelle einfügen]. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Netzteile Motorantriebe Wechselrichter Schaltverstärker
Das offizielle Datenblatt für den R6011ENX ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen den Download für detaillierte technische Informationen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den R6011ENX auf unserer Webseite an. Erhalten Sie ein Angebot, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Sonderangebot.
DIODE GP REV 2KV 300A DO205AB
DIODE GP REV 1.8KV 300A DO205AB
DIODE GP REV 1.4KV 300A DO205AB
DIODE GP REV 2.2KV 250A DO205AB
DIODE GP REV 2KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
DIODE GP REV 1.6KV 250A DO205AB
600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
DIODE GP REV 1.8KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
DIODE GP REV 1.6KV 300A DO205AB
600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/05/8
2024/04/10
2025/02/12
2025/01/9
R6011ENXRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|