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| Artikelnummer: | R6008FNJTL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 8A LPTS |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1000+ | $1.9422 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | LPTS |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | R6008 |
| R6008FNJTL Einzelheiten PDF [English] | R6008FNJTL PDF - EN.pdf |




R6008FNJTL
LAPIS Semiconductor
Der R6008FNJTL ist ein N-Kanal-MOSFET von LAPIS Semiconductor. Er zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von 600 V, einen Dauer-Drain-Strom von 8 A und einen maximalen On-Widerstand von 950 mΩ aus.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 600 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 8 A
Maximaler On-Widerstand von 950 mΩ
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Eignet sich für verschiedenste Leistungsanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
Oberflächenmontage (SMD)
SC-83 Gehäuse
Dieses Produkt befindet sich nicht in Kürze im Auslauf
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar:
- R6008FNJ
- R6009FNJ
Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam.
Energieumwandlung
Motorsteuerung
Industrielle Elektronik
Beleuchtungsanwendungen
Das wichtigste technische Datenblatt für den R6008FNJTL ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen unseren Kunden, es herunterzuladen.
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R6008ANJ ROHM
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
ROHM NA
600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
R6009ENX C7 ROHM
BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
R6008FNJ ROHM
ROHM TO263
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
ROHM TO-220FM
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R6008FNJTLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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