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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR6007ENX
Rohm Semiconductor
R6007ENX Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor R6007ENX

Artikelnummer: R6007ENX
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Datenblätte:
1.R6007ENX.pdf ···

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  • Versandinformationen
  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Rohm Semiconductor R6007ENX technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor R6007ENX .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-220FM
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
    Verlustleistung (max) 40W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
    Paket Bulk
    Betriebstemperatur 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)
    Grundproduktnummer R6007
    R6007ENX Einzelheiten PDF [English] R6007ENX PDF - EN.pdf
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    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
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    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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