Deutsch
| Artikelnummer: | IRF3709PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4556 |
| 200+ | $0.1763 |
| 500+ | $0.1705 |
| 1000+ | $0.1676 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2672 pF @ 16 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
| IRF3709PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF3709PBF PDF - EN.pdf |




IRF3709PBF
Y-IC ist ein Qualitäts distributor von Produkten der International Rectifier (Infineon Technologies). Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF3709PBF ist ein N-Kanal-LeistungsmOSFET in einer TO-220AB-Gehäusebauform. Er wurde für Hochleistungs- und Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
90A Dauerladestrom bei 25°C
Maximaler On-Widerstand von 9 mOhm
Maximaler Gate-Schwellenwert von 3V
Maximaler Gate-Ladungswert von 41 nC
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Hohe Effizienz und geringer Energieverlust
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Zuverlässige und langlebige Performance
Gehäuse: TO-220AB
Verpackung: Tube (Röhre)
Thermische Eigenschaften: 3,1W Leistungsaufnahme bei Ta, 120W bei Tc
Elektrische Eigenschaften: 30V Drain-Source-Spannung, 90A Dauerladestrom
Der IRF3709PBF ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige Modelle wie den IRF3705PBF und den IRF3710PBF. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Hochleistungs-Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Netzteile
Motortreiber
Wechselrichter
Schweißgeräte
Das offizielle Datenblatt für den IRF3709PBF ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen den Kunden, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
MOSFET N-CH 30V 90A TO262
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRF3709Z IR
IR TO-263
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
IR TO-263
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
HEXFET SMPS POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 90A TO262
HEXFET SMPS POWER MOSFET
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
HEXFET SMPS POWER MOSFET
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
IRF3709PBFInternational Rectifier |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|