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| Artikelnummer: | IPB60R099CPAATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $46.9268 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | CoolMOS™ CP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 255W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB60R099 |
| IPB60R099CPAATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB60R099CPAATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPB60R099CPAATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Infineons CoolMOS™ CP-Serie. Er bietet exzellente Leistung und Effizienz für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
Sperrspannung von 600 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 31A bei 25 °C
Geringer On-Widerstand von 105 mΩ
Schnelle Schaltzeiten mit niedriger Gate-Ladung von 80 nC
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C
Verbesserte Energieeffizienz
Verringerte Energieverluste
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontagetechnologie (SMD)
Dieses Produkt ist derzeit aktiv und verfügbar.
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MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
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IPB60R099CPA INF
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IPB60R099C6 Infineon Technologies
IPB60R099CP 6R099CP Original
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